[發明專利]采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路

無效

• 申請號: 201210052015.3
• 申請日: 2012-03-01
• 公開（公告）號: CN102594290A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 司朝偉;韓國威;寧瑾;劉曉東
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/24
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，包括：

一MEMS諧振器；

一低通濾波器，該低通濾波器的輸入端與MEMS諧振器的輸出端連接；

一高增益反相器，該高增益反相器的輸入端與低通濾波器的輸出端連接；

一窄脈沖發生器，該窄脈沖發生器的輸入端與高增益反相器的輸出端連接，該窄脈沖發生器的輸出端與MEMS諧振器輸入端連接，形成閉合回路。

2.根據權利要求1所述的采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，其中所述的低通濾波器采用的截止頻率為MEMS諧振器諧振頻率的2-4倍。

3.根據權利要求1所述的采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，其中所述的高增益反相器的增益大于MEMS諧振器的插入損耗。

4.根據權利要求1所述的采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，其中所述的窄脈沖發生器采用的窄脈沖頻率分量為MEMS諧振器諧振頻率的5-10倍。

5.根據權利要求4所述的采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，其中所述的MEMS諧振器的阻抗由MEMS諧振器中的饋通電容和工作頻率決定，其在所述的窄脈沖信號發生器發出的信號頻率下，實現50歐姆的阻抗匹配，提高能量利用率。

6.根據權利要求1所述的采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，其中所述的窄脈沖發生器開始工作時，產生一個脈沖，激勵MEMS諧振器振動，該MEMS諧振器從起振到穩定振動的時間小于現有的噪聲觸發振蕩器電路的起振時間。

7.根據權利要求1所述的采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，其中所述的高增益反相器和窄脈沖發生器中的有源管在一個振蕩周期內，只有發生狀態翻轉時，才消耗能量，能耗小于現有的高頻高增益的跨導放大器。

8.根據權利要求1所述的采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，其中采用的低通濾波器為RC無源濾波器，既能濾除高頻分量，又起到了諧振器動態阻抗匹配的作用，將MEMS諧振器輸出電流轉換成電壓信號。

9.根據權利要求1所述的采用窄脈沖激勵MEMS諧振器的振蕩器電路，其中所述的電子元件是采用集成電路工藝實現，而且占用的面積及功耗小于現有的采用高頻高增益的跨導放大器構成的振蕩器電路。