[發明專利]一種基于多孔道均流的瞬態電壓抑制器

無效

• 申請號: 201210052003.0
• 申請日: 2012-03-01
• 公開（公告）號: CN102593155A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 董樹榮;吳健;韓成功;黃麗;苗萌;曾杰;馬飛;鄭劍鋒
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/02
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種基于多孔道均流的瞬態電壓抑制器，包括P+襯底層(1)；所述的P+襯底層(1)上設有P-外延層(2)，P+襯底層(1)底部設有接地電極(9)；所述的P-外延層(2)通過外隔離環(42)和內隔離環(41)被分割成兩塊區域：位于內隔離環(41)內的第一外延區(21)和位于外隔離環(42)與內隔離環(41)之間的第二外延區(22)；所述的第一外延區(21)與P+襯底層(1)之間設有N+埋層(11)，所述的第二外延區(22)上設有四個N+有源注入區(6)；其特征在于：

所述的第一外延區(21)上嵌有四個N阱(3)，四個N阱(3)上分別設有四個P+有源注入區(7)；四個P+有源注入區(7)通過四個金屬電極(8)分別與四個N+有源注入區(6)相連；

所述的N阱(3)與鋪設于第一外延區(21)上的N+有源注入層(5)相連；所述的N+有源注入層(5)通過若干內填有N型材料的孔道(10)與N+埋層(11)相連。

2.根據權利要求1所述的基于多孔道均流的瞬態電壓抑制器，其特征在于：所述的P-外延層(2)的摻雜濃度為5×10¹⁴～5×10¹⁵atom/cm³，厚度為5～8um。

3.根據權利要求1所述的基于多孔道均流的瞬態電壓抑制器，其特征在于：所述的N+埋層(11)的摻雜濃度為5×10¹⁹～5×10²⁰atom/cm³，厚度為1～1.5um。

4.根據權利要求1所述的基于多孔道均流的瞬態電壓抑制器，其特征在于：所述的孔道(10)內的N型材料的摻雜濃度為5×10¹⁴～5×10¹⁵atom/cm³。

5.根據權利要求1所述的基于多孔道均流的瞬態電壓抑制器，其特征在于：所述的外隔離環(42)或內隔離環(41)的寬度為1.5～2um，深度為8～10um。

6.根據權利要求1所述的基于多孔道均流的瞬態電壓抑制器，其特征在于：所述的孔道(10)的直徑為1.5～2um。