[發明專利]毫微結構的太陽能電池在審
| 申請號: | 201210051943.8 | 申請日: | 2012-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN102683440A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | Y·劉 | 申請(專利權)人: | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馬紅梅;盧江 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微結構 太陽能電池 | ||
本申請是2007年6月26日申請的美國專利申請No.11/768,690、“NANOSTRUCTURED?SOLAR?CELL(毫微結構的太陽能電池)”的部分繼續。
本申請是2008年6月12日申請的美國專利申請No.12/138,114、“NANOSTRUCTURE?ENABLED?SOLAR?CELL?ELECTRODE?PASSIVATION?VIAATOMIC?LAYER?DEPOSITION(經由原子層沉積的毫微結構實現的太陽能電池電極鈍化)”的部分繼續。
本申請是2009年4月30日申請的美國專利申請No.12/433,560、“ELECTRON?COLLECTOR?AND?ITS?APPLICATION?IN?PHOTOVOLTAICS(電子集電極及其在光生伏打中的應用)”的部分繼續。
本申請是2009年12月11日申請的美國專利申請No.12/636,402、“QUANTUM?DOT?SOLAR?CELL(量子點太陽能電池)”的部分繼續。
本申請是2009年6月15日申請的美國專利申請No.12/484,608、“NANO-STRUCTURED?SOLAR?CELL(毫微結構的太陽能電池)”的部分繼續。
背景技術
本公開與電功率設備有關,并且特別與發電設備有關。更特別地,本公開與基于太陽的發電設備有關。
相關申請可以包括:
2007年6月26日申請的美國專利申請No.11/768,690、“NANOSTRUCTURED?SOLAR?CELL”,其由此被通過引用而結合;
2008年6月12日申請的美國專利申請No.12/138,114、“NANOSTRUCTURE?ENABLED?SOLAR?CELL?ELECTRODE?PASSIVATION?VIAATOMIC?LAYER?DEPOSITION”,其由此被通過引用而結合;
2009年4月30日申請的美國專利申請No.12/433,560、“ELECTRON?COLLECTOR?AND?ITS?APPLICATION?IN?PHOTOVOLTAICS”,其由此被通過引用而結合;
2009年12月11日申請的美國專利申請No.12/636,402、“QUANTUM?DOT?SOLAR?CELL”,其由此被通過引用而結合;以及
2009年6月15日申請的美國專利申請No.12/484,608、“NANO-STRUCTURED?SOLAR?CELL”,其由此被通過引用而結合。
發明內容
本公開是具有毫微類型結構的太陽能電池。
附圖說明
圖1是毫微結構太陽能電池(nanostructure?solar?cell)及其操作的示意圖;
圖2是太陽能電池的毫微結構電子導體的圖示;
圖3是毫微結構太陽能電池構造的遞增(increment)的示意圖;
圖4是比較毫微結構太陽能電池的轉換效率與另一類型的太陽能電池的轉換效率的圖;以及
圖5圖示出了毫微結構的太陽能電池的外貌。
具體實施方式
在過去的幾十年期間,使用早期太陽光生伏打(PV)技術或基于硅的太陽能電池以產生清潔電(作為不潔的礦物燃料產生的電的替代物)并未顯示出有成本競爭力。盡管已知和預期的技術改進及能力增長,但是仍然看不出來太陽能電池技術在若干更多的十年內對于電功率產生而言將是有成本競爭力的。
然而,涉及太陽PV技術、基于毫微結構組件和旨在顯著增加轉換效率并降低生產成本的相應制造工藝的本公開可以允許太陽PV在比幾十年更短的時間范圍內變成可再生替代能源的經濟上可行的形式。
通過使用毫微結構電子導體以及毫微粒子(諸如量子點(QD))作為吸收體,本太陽能電池可最大化太陽至電的轉換效率。可以在柔性基底上制造該電池。組合這些組件可以產生柔性的、低成本、粗糙的太陽能板,其可采用簡單的低溫工藝來制備。
該太陽能電池可以是用以匹配太陽光譜的一致的QD均勻性、毫微線電子導體、匹配的功函數/電子親和性、有效的空穴傳輸介質、泄漏/復合的減少或消除、以及低溫工藝兼容性的精密工程的結果。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





