[發明專利]掘井引流式二極管元件或二極管組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210051460.8
• 申請日: 2012-03-01
• 公開（公告）號: CN103295897A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 黃文彬;吳文湖;陳建武;賴錫標
• 申請（專利權）人: 美麗微半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種掘井引流式二極管元件或二極管組件的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

(A)將已完成擴散、氧化層或離子布植的硅晶圓片頂面預設各二極管元件或二極管組件的第一電極位置和第二電極位置，并且在各第一電極四周設置絕緣體或保護環來絕緣保護，針對各第二電極則分別挖掘一引流井，令各引流井直接穿過硅晶圓片頂層與硅晶圓片底層之間的P、N接面空乏區或能障區；

(B)利用導電物質對硅晶圓片上各二極管元件或二極管組件的第一電極表面和第二電極表面以及引流井金屬化，使硅晶圓片底層分別與各二極管元件或二極管組件的第二電極導通；

(C)對硅晶圓片進行切割，以使硅晶圓片上的各二極管元件或二極管組件彼此分離。

2.如權利要求1所述掘井引流式二極管元件或二極管組件的制造方法，其特征在于，各第一電極四周設置絕緣體或保護環制作過程先設置隔離溝槽后再填入絕緣物質所構成，或者在各第一電極四周以長氧化層及/或擴散方式來完成。

3.如權利要求1所述掘井引流式二極管元件或二極管組件的制造方法，其特征在于，硅晶圓片背面及/或除了各電極表面以外的外部，以整片涂布或預鑄成型方式全面被覆上一層保護層。

4.如權利要求3所述掘井引流式二極管元件或二極管組件的制造方法，其特征在于，被覆保護層的制作過程先在硅晶圓片上各元件或二極管組件的四周經開溝后填入環氧樹脂，而后再對硅晶圓片進行切割。

5.如權利要求1所述掘井引流式二極管元件或二極管組件的制造方法，其特征在于，硅晶圓片進行切割前，在金屬化后的各第一電極和第二電極表面上進行長焊球制作過程。

6.一種掘井引流式二極管元件或二極管組件，其特征在于，由頂、底兩層至少兩種不同電氣特性的半導體或金屬所構成，且頂、底兩層之間具備P、N接面空乏區或能障區，其中頂層設有至少一絕緣體或保護環以于同一面分隔出第一電極和第二電極，且該第二電極進一步設有一引流井穿透所述的P、N接面空乏區或能障區；所述的第一電極和第二電極以及引流井表面分別被覆有導電層，其中引流井的導電層導通底層半導體與第二電極，讓電子得以通過引流井輕易地流經P、N接面空乏區或能障區。

7.如權利要求6所述的掘井引流式二極管元件或二極管組件，其特征在于，絕緣體或保護環由位于第一電極四周的隔離溝槽以及填充于隔離溝槽內的絕緣物質所構成，或者在第一電極四周以長氧化層及/或擴散方式所形成。

8.如權利要求6所述的掘井引流式二極管元件或二極管組件，其特征在于，第一電極和第二電極的導電層表面進一步設置有焊球。

9.如權利要求6所述的掘井引流式二極管元件或二極管組件，其特征在于，各電極的導電層表面以外的外部被覆有一層保護層。