[發(fā)明專利]一種基于垂直取向石墨烯的超級電容器電極及其制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210051348.4 | 申請日： | 2012-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN102568853A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 薄拯;岑可法;嚴(yán)建華;王智化;池涌 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | H01G9/042 | 分類號： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人： | 張法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 垂直 取向 石墨 超級 電容器 電極 及其 制作方法 | ||
1.一種基于垂直取向石墨烯的超級電容器電極，其特征在于：該電極由集流體（1）和石墨烯納米片（2）組成，石墨烯納米片垂直于集流體表面，每片石墨烯納米片均有由1～10層石墨烯組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于垂直取向石墨烯的超級電容器電極，其特征是：所述集流體材料為金、銀、銅、鋁、鐵、不銹鋼、鎳或碳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于垂直取向石墨烯的超級電容器電極，其特征是：所述石墨烯納米片厚度為1～20納米，高度為0.05～100微米，寬度為0.01～5微米，相鄰石墨烯納米片間距為0.01～5微米。
4.一種如權(quán)利要求1所述的基于垂直取向石墨烯的超級電容器電極的制作方法，其特征在于：加熱集流體至600～1000?oC，以含碳元素氣體作為前驅(qū)物氣體產(chǎn)生等離子體，將集流體放置在等離子體內(nèi)，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，在集流體表面直接生長垂直取向石墨烯納米片，生長5分鐘～8小時后，所得表面長有垂直取向石墨烯納米片的集流體即為超級電容器電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于垂直取向石墨烯的超級電容器電極的制作方法，其特征在于：所述等離子體為微波等離子體、射頻電感耦合等離子體、射頻電容耦合等離子體、超高頻等離子體、電子束等離子體或常壓正常輝光放電等離子體。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于垂直取向石墨烯的超級電容器電極的制作方法，其特征在于：所述含碳元素氣體為甲烷、乙烷、乙炔、乙烯、一氧化碳、二氧化碳或四氟化碳中的一種或多種與氬氣、氮氣、氦氣或氫氣的混合氣體。
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