[發明專利]一種緊縮場產生裝置

有效

• 申請號: 201210051099.9
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN103293395B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 劉若鵬;季春霖;岳玉濤;李星昆
• 申請（專利權）人: 深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08;G01R29/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種緊縮場產生裝置，所述裝置包括饋源，其特征在于，所述裝置還包括設置在所述饋源前方的具有電磁波發散功能的發散元件以及設置在發散元件前方的超材料面板，所述超材料面板包括核心層，所述核心層包括至少一個核心層片層，所述核心層片層包括片狀的第一基材以及設置在所述第一基材上的多個人造微結構，所述核心層片層按照折射率分布可劃分為位于中間位置的圓形區域以及分布在圓形區域周圍且與所述圓形區域共圓心的多個環形區域，所述圓形區域及環形區域內相同半徑處的折射率相同，且在圓形區域及環形區域各自的區域內隨著半徑的增大折射率逐漸減小，所述圓形區域的折射率的最小值小于與其相鄰的環形區域的折射率的最大值，相鄰兩個環形區域，處于內側的環形區域的折射率的最小值小于處于外側的環形區域的折射率的最大值。

2.根據權利要求1所述的一種緊縮場產生裝置，其特征在于，所述第一基材包括片狀的第一前基板及第一后基板，所述多個第一人造微結構夾設在第一前基板與第一后基板之間。

3.根據權利要求1所示的一種緊縮場產生裝置，其特征在于，所述核心層包括多個厚度相同且折射率分布相同的核心層片層。

4.根據權利要求1所示的一種緊縮場產生裝置，其特征在于，所述圓心為核心層片層的中心，所述圓形區域以及多個環形區域的折射率變化范圍相同，所述核心層片層的折射率n(r)分布滿足如下公式：

ni(r)=nmin+1d(ai2+s2-r2+s2);]]>

ai+12+s2-ai2+s2=λ;]]>

其中，i表示核心層片層分段數，i＝1表示核心層片層第一段、i＝2表示核心層片層第二段、......、i＝p表示核心層片層的第p段，所述核心層片層第一段最靠近核心層片層的中心；

n_i(r)表示核心層片層第i段上半徑為r處的折射率值；

n_min表示核心片層的折射率的最小值；

λ表示電磁波波長；

r表示核心層片層上任意一點距離核心層片層中心的距離；

s為饋源等效點到超材料面板的垂直距離；

a_i表示核心層片層第i段距離核心層片層中心的最大值；

d表示所述核心層的厚度。