[發(fā)明專利]一種離面靜電驅(qū)動器及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210050886.1
• 申請日: 2012-03-01
• 公開（公告）號: CN103288034A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王建坤;楊振川;閆桂珍
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低驅(qū)動電壓MEMS梳齒式離面靜電驅(qū)動器結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括基片、固定電極、可動電極、錨點(diǎn)、組合扭轉(zhuǎn)梁、驅(qū)動輸出部分和信號引出焊盤；

所述固定電極為固定在基片上的梳齒式電極；

所述可動電極為連接到所述驅(qū)動輸出部分的梳齒式電極；

所述組合扭轉(zhuǎn)梁，包括兩組折疊扭轉(zhuǎn)梁和一個支架橫梁，懸浮固定在基片上；

所述折疊扭轉(zhuǎn)梁為多個扭轉(zhuǎn)橫梁(即可扭轉(zhuǎn)的窄梁)通過首尾相連的方式折疊而成；

所述支架橫梁為連接兩組所述折疊扭轉(zhuǎn)梁的通梁；

第一組所述折疊扭轉(zhuǎn)梁的一端連接基片，另一端所述支架橫梁；第二組所述折疊扭轉(zhuǎn)梁的一端連接所述支架橫梁，另一端連接所述驅(qū)動輸出部分。

2.如權(quán)利要求1所述的一種低驅(qū)動電壓MEMS梳齒式離面靜電驅(qū)動器結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述扭轉(zhuǎn)組合梁為單端不等高梁。

3.如權(quán)利要求1所述的一種低驅(qū)動電壓MEMS梳齒式離面靜電驅(qū)動器結(jié)構(gòu)的制備方法，其主要包括以下工藝：

(1)選擇包括單晶硅器件層、二氧化硅埋氧層和單晶硅襯底層的SOI(Silicon-on-insulator絕緣體上硅)基片；

(2)在單晶硅器件層表面進(jìn)行摻雜，以形成歐姆接觸，并在在單晶硅襯底層表面形成氧化硅掩膜，以定義驅(qū)動器的背腔區(qū)域；

(3)在單晶硅器件層表面形氧化硅掩膜，再在單晶硅器件層表面和氧化硅掩膜表面形成光刻膠掩膜，進(jìn)而形成氧化硅與光刻膠的復(fù)合掩膜；然后以光刻膠掩膜為掩膜刻蝕釋放結(jié)構(gòu)；

(4)去除光刻膠掩膜，以氧化硅掩膜為掩膜刻蝕定出固定電極頂部與可動電極頂部之間的高度差；

(5)以單晶硅襯底層上的氧化硅掩膜為掩膜刻蝕出驅(qū)動器的背腔區(qū)域；

(6)去除氧化硅掩膜和背腔區(qū)域的二氧化硅埋層，并處理第(4)步刻蝕后的梳齒電極表面；

(7)制作金屬電極，完成驅(qū)動器制備。