[發明專利]雙層隔離半導體納米線MOSFET

有效

• 申請號: 201210050781.6
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102569410A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/092;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種雙層隔離半導體納米線MOSFET，其特征在于，所述雙層隔離半導體納米線MOSFET包括：

半導體襯底；

第一半導體納米線MOSFET，具有第一源極區、第一漏極區以及第一柵極區，并形成在所述半導體襯底上，所述第一半導體納米線MOSFET進一步包括橫向貫穿于所述第一柵極區并設置在所述第一源極區與所述第一漏極區之間的第一半導體納米線，以及環包設置在所述第一半導體納米線外側并介于所述第一半導體納米線與所述第一柵極區之間的第一柵氧化層；

第二半導體納米線MOSFET，具有第二源極區、第二漏極區以及第二柵極區，并形成在所述半導體襯底上，所述第二半導體納米線MOSFET進一步包括橫向貫穿于所述第二柵極區并設置在所述第二源極區與所述第二漏極區之間的第二半導體納米線，以及環包設置在所述第二半導體納米線外側并介于所述第二半導體納米線與所述第二柵極區之間的第二柵氧化層；

隔離介質層，設置在所述第一半導體納米線MOSFET與所述第二半導體納米線MOSFET之間；

埋氧層，設置在所述第一半導體納米線MOSFET與所述半導體襯底之間；

第一絕緣介質層，設置在所述第一半導體納米線MOSFET的第一源極區、第一漏極區和第一柵極區之間；

第二絕緣介質層，設置在所述第二半導體納米線MOSFET的第二源極區、第二漏極區和第二柵極區之間；

第三絕緣介質層，設置在介于所述隔離介質層與所述埋氧層之間并位于所述第一半導體納米線MOSFET一側且與所述第一源極區、第一漏極區以及第一柵極區相連；

第四絕緣介質層，與所述第三絕緣介質層呈面向設置并與所述第二源極區、第二漏極區以及第二柵極區連接；

第一導電層，分別設置在所述隔離介質層與所述第一源極區、第一漏極區和第一柵極區之間；以及，

第二導電層，分別設置在第二源極區、第二漏極區和第二柵極區之異于所述隔離介質層一側。

2.如權利要求1所述的雙層隔離半導體納米線MOSFET，其特征在于，所述第一半導體納米線MOSFET為NMOSFET，所述第二半導體納米線MOSFET為PMOSFET。

3.如權利要求1所述的雙層隔離半導體納米線MOSFET，其特征在于，所述第一半導體納米線MOSFET為PMOSFET，所述第二半導體納米線MOSFET為NMOSFET。

4.如權利要求1所述的雙層隔離半導體納米線MOSFET，其特征在于，所述第一半導體納米線與所述第二半導體納米線在空間上疊置，并具有圓形、橫向跑道形或者縱向跑道型的截面結構。

5.如權利要求1所述的雙層隔離半導體納米線MOSFET，其特征在于，所述第一半導體納米線MOSFET通過第四絕緣介質層將電極從第一導電層引出，分別形成第一源極、第一漏極和第一柵極。

6.如權利要求1所述的雙層隔離半導體納米線MOSFET，其特征在于，所述第二半導體納米線MOSFET通過位于第二源極區、第二漏極區和第二柵極區上的第二導電層將電極引出，分別形成第二源極、第二漏極和第二柵極。

7.如權利要求1-5任一權利要求所述的雙層隔離半導體納米線MOSFET，其特征在于，所述第一源極區、第一漏極區的垂直于所述第一半導體納米線的寬度大于第一半導體納米線的直徑，所述第二源極區、第二漏極區的垂直于第二半導體納米線的寬度大于第二半導體納米線的直徑。