[發(fā)明專利]一種多波束透鏡天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210050516.8 | 申請日: | 2012-02-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103296476B | 公開(公告)日: | 2017-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉若鵬;季春霖;岳玉濤;尹小明 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳光啟高等理工研究院 |
| 主分類號(hào): | H01Q15/02 | 分類號(hào): | H01Q15/02;H01Q19/06;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 波束 透鏡天線 | ||
1.一種多波束透鏡天線,包括波束形成網(wǎng)絡(luò)以及與所述波束形成網(wǎng)絡(luò)相連的多個(gè)饋源,其特征在于:還包括平板超材料,所述平板超材料由多片折射率分布相同的超材料片層構(gòu)成,所述超材料片層包括基材以及周期排布于基材上的人造微結(jié)構(gòu),所述饋源發(fā)出的電磁波經(jīng)過所述平板超材料后以平面電磁波形式傳輸;所述超材料片層的折射率分布通過如下步驟得到:
S1:在所述多波束透鏡天線未設(shè)置所述平板超材料的情況下,用空氣填充平板超材料區(qū)域并標(biāo)注出各超材料片層的邊界,測試并記錄所述饋源輻射的電磁波在第i層超材料片層前表面的初始相位其中,第i層超材料片層前表面中心點(diǎn)處的初始相位為
S2:根據(jù)公式得到所述平板超材料后表面的相位Ψ,
其中,d為每層超材料片層的厚度,λ為饋源輻射的電磁波波長,nmax為所述平板超材料所具有的最大折射率值,M為構(gòu)成所述平板超材料的超材料片層的總層數(shù);
S3:根據(jù)公式得到超材料片層各點(diǎn)的折射率n(y),
其中,y為超材料片層上任一點(diǎn)距超材料片層中心軸線的距離。
2.如權(quán)利要求1所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述超材料片層還包括覆蓋于所述人造微結(jié)構(gòu)上的覆蓋層,所述覆蓋層的厚度和材質(zhì)與所述基材的厚度和材質(zhì)相同。
3.如權(quán)利要求1所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述人造微結(jié)構(gòu)為由銅線或銀線構(gòu)成的金屬微結(jié)構(gòu),所述金屬微結(jié)構(gòu)通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法周期排布于所述基材上。
4.如權(quán)利要求3所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述金屬微結(jié)構(gòu)呈平面雪花狀,所述金屬微結(jié)構(gòu)具有相互垂直平分的第一金屬線及第二金屬線,所述第一金屬線與第二金屬線的長度相同,所述第一金屬線兩端連接有相同長度的兩個(gè)第一金屬分支,所述第一金屬線兩端連接在兩個(gè)第一金屬分支的中點(diǎn)上,所述第二金屬線兩端連接有相同長度的兩個(gè)第二金屬分支,所述第二金屬線兩端連接在兩個(gè)第二金屬分支的中點(diǎn)上,所述第一金屬分支與第二金屬分支的長度相等。
5.如權(quán)利要求4所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述平面雪花狀的金屬微結(jié)構(gòu)的每個(gè)第一金屬分支及每個(gè)第二金屬分支的兩端還連接有完全相同的第三金屬分支,相應(yīng)的第三金屬分支的中點(diǎn)分別與第一金屬分支及第二金屬分支的端點(diǎn)相連。
6.如權(quán)利要求3所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述平面雪花狀的金屬微結(jié)構(gòu)的第一金屬線與第二金屬線均設(shè)置有兩個(gè)彎折部,所述平面雪花狀的金屬微結(jié)構(gòu)繞垂直于第一金屬線與第二金屬線交點(diǎn)的軸線向任意方向旋轉(zhuǎn)90度的圖形都與原圖重合。
7.如權(quán)利要求1或2所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述基材的材質(zhì)為高分子材料、陶瓷材料、鐵電材料、鐵氧材料或者鐵磁材料。
8.如權(quán)利要求1或2所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述基材的厚度為0.4毫米。
9.如權(quán)利要求3所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述金屬微結(jié)構(gòu)厚度為0.018毫米。
10.如權(quán)利要求7所述的多波束透鏡天線,其特征在于:所述基材的材質(zhì)為FR-4材料或F4B材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳光啟高等理工研究院,未經(jīng)深圳光啟高等理工研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210050516.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





