[發明專利]一種超材料天線系統有效
| 申請號: | 201210050484.1 | 申請日: | 2012-02-29 |
| 公開(公告)號: | CN103296440A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 劉若鵬;季春霖;岳玉濤;殷俊 | 申請(專利權)人: | 深圳光啟創新技術有限公司 |
| 主分類號: | H01Q15/00 | 分類號: | H01Q15/00;H01Q1/38 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518034 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 材料 天線 系統 | ||
1.一種超材料天線系統,所述天線系統包括天線、基座、至少三個饋源以及支桿,其特征在于,所述天線為超材料天線,所述超材料天線包括至少三個超材料面板,每一所述超材料面板的一側固定于一支桿上,所述饋源均位于所述支桿上且每兩個超材料面板之間有一饋源。
2.根據權利要求1所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述每一饋源正對于所述每一超材料面板的中心上。
3.根據權利要求1或者2所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述饋源為全方向點饋源。
4.根據權利要求1所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述每一超材料面板包括核心層,所述核心層包括厚度相同且折射率分布相同的多個核心層片層,所述核心層片層包括片狀的第一基材以及設置在第一基材上的多個第一人造微結構。
5.根據權利要求4所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述每一核心層片層內的折射率分布規律為:核心層片層的中心折射率最大,隨著半徑的增加,折射率不斷減小。
6.根據權利要求4所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述第一基材包括片狀的第一前基板及第一后基板,所述多個第一人造微結構夾設在第一前基板與第一后基板之間。
7.根據權利要求1所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述超材料面板還包括對稱分布在核心層兩側表面的阻抗匹配層,所述阻抗匹配層包括厚度相同的多個阻抗匹配層片層,所述阻抗匹配層片層包括片狀的第二基材以及設置在第二基材上的多個第二人造微結構,所述阻抗匹配層片層的折射率分布滿足如下公式:
λ=(nmax-nmin)*(d+2*d1);
其中,j表示阻抗匹配層片層的編號,靠近饋源和天線罩的阻抗匹配層片層的編號為m,由饋源和天線罩向核心層方向,編號依次減小,靠近核心層的阻抗匹配層片層的編號為1;
上述的nmax與nmin與核心層片層的折射率的最大值與最小值相同;
r表示阻抗匹配層片層上任意一點到其中心的距離;
λ表示電磁波波長;
d1為阻抗匹配層的厚度;
d為核心層的厚度。
8.根據權利要求7所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述第二基材包括片狀的第二前基板及第二后基板,所述多個第二人造微結構夾設在第二前基板與第二后基板之間。
9.根據權利要求1所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述超材料天線采用圓柱坐標對稱的垂直扇葉結構。
10.根據權利要求7所述的一種超材料天線系統,其特征在于,所述第一人造微結構及第二人造微結構均為由銅線或銀線構成的金屬微結構,所述金屬微結構通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法分別附著在第一基材及第二基材上。
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