[發明專利]一種負磁導率超材料

有效

• 申請號: 201210050347.8
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN102593593A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 劉若鵬;趙治亞;郭潔;余銓強
• 申請（專利權）人: 深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種負磁導率超材料，其特征在于，所述超材料包括第一介質基板、第二介質基板、第三介質基板以及固定在第一介質基板兩側的第一人造微結構層和第二人造微結構層、固定在第三介質基板兩側的第三人造微結構層和第四人造微結構層，所述第二人造微結構層與所述第三人造微結構層中間固定有所述第二介質基板，所述第一人造微結構層、第二人造微結構層、第三人造微結構層、第四人造微結構層均由多個陣列排布的人造微結構組成，所述第一人造微結構層的多個人造微結構與所述第二人造微結構層的多個人造微結構分別通過多個第一金屬過孔連接，所述第三人造微結構層的多個人造微結構與所述第四人造微結構層的多個人造微結構分別通過多個第二金屬過孔連接。

2.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述人造微結構為阿基米德金屬螺線。

3.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一介質基板、第三介質基板為陶瓷基板。

4.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一介質基板、第三介質基板的厚度控制在0.500-0.700mm。

5.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一介質基板、第三介質基板的介電常數控制在8-12。

6.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一介質基板、第三介質基板的損耗正切值控制在0.0025-0.0045。

7.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第二介質基板為FR-4等級基板或聚丙烯基板。

8.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第二介質基板厚度控制在0.04-0.06。

9.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第二介質基板的介電常數控制在4-6。

10.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第二介質基板的損耗正切值控制在0.020-0.035。

11.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一金屬過孔和第二金屬過孔的半徑控制在0.050-0.150。

12.根據權利要求1所述的負磁導率超材料，其特征在于，所述第一人造微結構層、第二人造微結構層、第三人造微結構層、第四人造微結構層的尺寸為，長3-21mm，寬3-21mm。