[發明專利]快速獲得具有原子臺階表面的SiC晶片拋光方法

有效

• 申請號: 201210050324.7
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN103286672A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 黃維;王樂星;莊擊勇;陳輝;楊建華;施爾畏
• 申請（專利權）人: 上海硅酸鹽研究所中試基地;中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: B24B37/07
• 分類號: B24B37/07
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝

1.一種快速獲得具有原子臺階表面的SiC晶片拋光方法，所述方法包括以下步驟：

(1)提供SiC晶片，其中，所述SiC的基本參數為：(a)對于經過線切割得到的晶片，晶片厚度在250μm至1000μm，線痕深度小于10μm，晶片翹曲度小于50μm，晶片厚度不均勻性小于30μm；(b)對于經過研磨的晶片，晶片厚度在250μm至1000μm，表面粗糙度值小于10μm，晶片翹曲度小于50μm，晶片厚度不均勻性小于30μm；

(2)對步驟(1)提供的所述SiC晶片，采用PH值為6.5至11、濃度為5％至30％、粒徑為2μm至5μm的金剛石拋光液進行拋光，控制拋光壓力為3g/cm²至10g/cm²，拋光盤轉速為50rpm至90rpm；

(3)對步驟(2)拋光后的SiC晶片，采用PH值為6.5至11，濃度為5％至30％，粒徑為0.5μm至2μm的金剛石拋光液進行拋光，控制拋光壓力為3g/cm²至10g/cm²，拋光盤轉速為50rpm至90rpm；

(4)對步驟(3)拋光后的SiC晶片，采用PH值為7.5至10，濃度為5％至30％，粒徑為20nm至50nm的硅溶膠，以H₂O₂和硅溶膠之比為1∶5至1∶25的比例范圍加入H₂O₂，進行混合攪拌得到的溶液作為拋光液進行拋光，控制拋光壓力為3g/cm²至10g/cm²，拋光盤轉速為50rpm至90rpm。

2.根據權利要求1所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，所述SiC晶片的晶型是4H-SiC、6H-SiC或15R-SiC。

3.根據權利要求1所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(1)中提供的SiC晶片的加工面是(0001)Si面。

4.根據權利要求1所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(1)中提供的SiC晶片方向與(0001)Si面的夾角為0至15°。

5.根據權利要求1所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(2-4)采用拋光布進行。

6.根據權利要求5所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(2)所用拋光布的邵氏硬度為60至90。

7.根據權利要求1所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(2)進行的時間大于等于30分鐘，且小于等于2小時。

8.根據權利要求5所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(3)所用拋光布的邵氏硬度為60至90。

9.根據權利要求1所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于步驟(3)進行的時間大于等于1小時，且小于等于2小時。

10.根據權利要求5所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(4)所用拋光布的邵氏硬度為60至90。

11.根據權利要求1所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(4)進行的時間大于等于3小時，且小于等于8小時。

12.根據權利要求1所述的SiC晶片拋光方法，其特征在于，步驟(4)中H₂O₂與硅溶膠之比為1∶10。