[發明專利]陣列基板和其制造方法以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201210050164.6
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN102646717A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 牛菁;劉圣烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

在基板的一面上依次設置的有源層、第一絕緣層、柵極、柵極絕緣層、像素電極和源漏極；其中，所述第一絕緣層僅僅設置在所述有源層的圖案上，所述像素電極與漏極直接電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為透明氧化物半導體膜。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述透明氧化物為銦鎵鋅氧化物。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏極通過所述柵極絕緣層和所述第一絕緣層中的過孔與所述有源層電連接。

5.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括步驟：

在基板上依次形成有源層、第一絕緣層和柵極層；進行第一次構圖工藝處理，得到包括有源層、第一絕緣層以及柵極的圖案；

在經上述處理后的基板上依次形成柵極絕緣層和像素電極層，進行第二次構圖工藝處理，得到像素電極和過孔的圖案；

形成源漏極層，進行第三次構圖工藝處理，得到源漏極圖案。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，第一次及第二次構圖工藝處理時，采用半透膜或灰度掩膜進行構圖。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，第一次構圖工藝處理時，在對涂布的光刻膠進行曝光顯影后，進行柵極層的第一次刻蝕、第一絕緣層的刻蝕和有源層的刻蝕形成有源層和第一絕緣層的圖案；

隨后灰化光刻膠，進行柵極層的第二次刻蝕形成包括柵極的圖案。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，第二次構圖工藝處理時，在對涂布的光刻膠進行曝光顯影后，進行像素電極層的第一次刻蝕和柵極絕緣層的刻蝕，得到柵極絕緣層中的過孔；

隨后灰化光刻膠，進行像素電極層的第二次刻蝕和第一絕緣層的刻蝕，得到像素電極的圖案和第一絕緣層中的過孔。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述柵極絕緣層和所述第一絕緣層的方法均為采用等離子化學氣相沉積法沉積氧化硅，所使用的反應氣體中包括硅烷，并且形成所述柵極絕緣層時所使用的硅烷的流量大于形成所述第一絕緣層時所使用的硅烷流量。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1-4中任一項所述的陣列基板。