[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201210049956.1
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN103296218A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

【背景技術】

有機電致發光二極管(Organic?Light?Emission?Diode)或有機電致發光器件，簡稱OLED，具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅動電壓低、全固化主動發光等特性，符合信息時代移動通信和信息顯示的發展趨勢，以及綠色照明技術的要求，是最近十幾年相當熱門的研究領域。

OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。

在電致發光器件中，空穴的傳輸路徑為陽極-空穴傳輸層-發光層，而電子的傳輸路徑為陰極-電子傳輸層-發光層，當空穴和電子到達發光層之后，進行復合，形成激子發光，而如果發光層與空穴傳輸層之間的LUMO能級勢壘較低，會使電子從發光層中穿越到空穴傳輸層。現在的作為電子阻擋層的有機材料的LUMO能級大多與發光層(發光層的LUMO能級為3.5eV左右，有機阻擋材料的一般為3.2eV)相差只有0.3eV之內，電子阻擋層的阻擋效果較差，不能有效的阻擋電子從發光層中穿越到空穴傳輸層，造成電子與空穴不能有效復合，發光效率低下。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。

一種有機電致發光器件，其包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子阻擋層的材料為空穴傳輸材料和金屬材料摻雜形成的混合物，所述空穴傳輸材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺，所述金屬材料為鈣、鎂、鋁或鐿。

在優選的實施例中，所述電子阻擋層的厚度為2nm～15nm。

在優選的實施例中，所述電子阻擋層的材料中，所述金屬材料的質量含量為5％～20％。

在優選的實施例中，所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩。

在優選的實施例中，所述發光層的材料為發光材料，或發光材料和主體材料摻雜形成的混合物，所述發光材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羥基喹啉鋁、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥及三(2-苯基吡啶)合銥中的至少一種，所述主體材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺、2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種，所述發光材料和主體材料摻雜形成的混合物中發光材料的質量含量為1％～20％。

在優選的實施例中，所述電子傳輸層的材料為2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。

在優選的實施例中，所述電子注入層的材料為碳酸鋰、氯化鋰或氟化鋰。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面依次形成空穴注入層及空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層表面形成電子阻擋層，所述電子阻擋層的材料為空穴傳輸材料和金屬材料摻雜形成的混合物，所述空穴傳輸材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺，所述金屬材料為鈣、鎂、鋁或鐿；及

在所述電子阻擋層表面依次形成發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。

在優選的實施例中，所述電子阻擋層的厚度為2nm～15nm。