[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201210049923.7 | 申請日: | 2012-02-29 |
| 公開(公告)號: | CN103296217A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;黃輝;張振華 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H05B33/26 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
【技術領域】
本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
【背景技術】
有機電致發光二極管(Organic?Light?Emission?Diode)或有機電致發光器件,簡稱OLED,具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅動電壓低、全固化主動發光等特性,符合信息時代移動通信和信息顯示的發展趨勢,以及綠色照明技術的要求,是最近十幾年相當熱門的研究領域。
OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO),而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發光材料,并激發電子從基態躍遷到激發態,激發態能量通過輻射失活,產生光子,釋放光能。
有機電致發光器件一般包括依次層疊的基底、陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。陽極的材料一般為氧化銦錫(ITO),ITO的功函數一般是4.3eV。而一般空穴傳輸材料(有機材料)的HOMO能級約為5.5eV,與陽極材料之間相差約1.2eV,因此,對空穴的傳輸形成一種阻礙作用,最終影響了激子復合幾率,在一般的電致發光器件中,為了使空穴能夠很好的傳輸到發光層,一般要求陽極(一般為ITO)與有機材料(一般為空穴傳輸材料)的HOMO能級匹配,而兩者相差約1.2eV,因此,對空穴的傳輸形成一種阻礙作用,最終影響了激子復合幾率,從而使得有機電致發光器件的發光效率較低。
【發明內容】
基于此,有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。
一種有機電致發光器件,其包括依次層疊的基底、陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述陽極的材料為金屬與金屬氧化物摻雜形成的混合物,所述金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩,所述金屬為銀、鋁、鉑或金,所述陽極的材料中所述金屬氧化物的質量百分比為5%~30%。
在優選的實施例中,所述陽極的厚度為60nm~200nm。
在優選的實施例中,所述空穴傳輸層的材料為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺。
在優選的實施例中,所述發光層的材料為發光材料,或發光材料和主體材料摻雜形成的混合物,所述發光材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羥基喹啉鋁、雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥及三(2-苯基吡啶)合銥中的至少一種,所述主體材料選自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺、2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種,所述發光材料和主體材料摻雜形成的混合物中發光材料的質量含量為1%~20%。
在優選的實施例中,所述電子傳輸層的材料為2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
在優選的實施例中,所述電子注入層的材料為碳酸銫、疊氮銫或氟化鋰。
在優選的實施例中,所述陰極的材料為銀、鋁、鉑、金或鎂銀合金。
一種有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
提供基底;
在所述基底上形成陽極,所述陽極的材料為金屬與金屬氧化物摻雜形成的混合物,所述金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩,所述金屬為銀、鋁、鉑或金,所述陽極的材料中所述金屬氧化物的質量百分比為5%~30%;及
在所述陽極表面依次形成空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
在優選的實施例中,所述陽極的厚度為60nm~200nm。
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