[發明專利]低頻低壓無極紫外光燈

在審

• 申請號: 201210049876.6
• 申請日: 2012-02-26
• 公開（公告）號: CN102592946A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 吳速;劉峰;由長林
• 申請（專利權）人: 煙臺同輝照明科技有限公司
• 主分類號: H01J61/16
• 分類號: H01J61/16;H01J61/30;H01J61/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明一種低頻低壓無極紫外光燈。

背景技術

現有的無極紫外光燈包括磁芯，磁芯采用夾具固定在燈管上，磁芯上繞制有線圈，線圈通過導線與鎮流器電連接，鎮流器通過導線與電源電連接，可用于殺菌消毒、紫外線檢測、醫療等領域。現有的無極紫外光燈的燈管內使用的惰性氣體的種類及惰性氣體的壓力值不盡合理，導致其使用壽命較短，紫外線發射效率較低，也無法制造成較大功率的紫外光燈，難以滿足使用要求。

發明內容

本發明的目的是提供一種使用壽命長，紫外線發射效率高，紫外線發射功率大的低頻低壓無極紫外光燈。

本發明的低頻低壓無極紫外光燈，包括燈管和汞齊，所述燈管呈環形，所述燈管內的氣體為氦氣和氬氣相混合的氣體，燈管內常溫下氣體的絕對壓強為20pa-30pa，燈管內氣體中氦氣和氬氣的體積比為1∶2-6。

本發明的低頻低壓無極紫外光燈，其中所述燈管的側壁上設有排氣管，所述燈管內氣體的絕對壓強為22pa-28pa，混合氣體中氦氣和氬氣的體積比為1∶3-5。

本發明的低頻低壓無極紫外光燈，其中所述汞齊包括正汞齊和副汞齊，副汞齊設置在排氣管附近的燈管內，所述正汞齊設置在排氣管內，所述燈管內氣體的絕對壓強為24pa-26pa，混合氣體中氦氣和氬氣的體積比為1∶3.5-4.5。

本發明的低頻低壓無極紫外光燈，其中所述燈管的橫截面為圓形或橢圓形或正三角形或矩形或正五邊形或正六邊形或正八邊形，燈管內氣體的絕對壓強為25pa，混合氣體中氦氣和氬氣的體積比為1∶4。

本發明的低頻低壓無極紫外光燈，其中所述燈管呈圓環形或橢圓環形或正三角環形或正方環形或長方環形或正五邊環形或正六邊環形或正八邊環形，燈管采用石英玻璃制成，所述正汞齊采用BiInHg或ZnHg制成，所述副汞齊采用ZnHg制成。

本發明的低頻低壓無極紫外光燈，其中所述燈管的環形長度為200-1000mm，燈管的截面孔徑與燈管的環形長度的比值為1∶20-100。

本發明的低頻低壓無極紫外光燈，采用本發明特有的技術方案，其燈管內的氣體為氦氣和氬氣相混合的氣體，燈管內常溫下氣體的絕對壓強為20pa-30pa，燈管內氣體中氦氣和氬氣的體積比為1∶2-6，實驗表明，其使用壽命的更長，紫外線發射效率有非常顯著的提高，紫外線發射功率也可以更大。因此，本發明的低頻低壓無極紫外光燈具有使用壽命長，紫外線發射效率高，紫外線發射功率大的特點，具有極高的推廣價值。

下面對本發明的低頻低壓無極紫外光燈作進一步詳細說明。

附圖說明

圖1為本發明的低頻低壓無極紫外光燈的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本發明的低頻低壓無極紫外光燈，包括磁芯，磁芯上繞制有線圈5，線圈5通過導線與鎮流器6電連接，鎮流器6通過導線與電源7電連接，還包括燈管1，磁芯采用夾具固定在燈管1上，燈管1采用石英玻璃制成，燈管1內設有汞齊，燈管1呈圓環形或橢圓環形或正三角環形或正方環形或長方環形或正五邊環形或正六邊環形或正八邊環形，燈管1的橫截面為圓形或橢圓形或正三角形或矩形或正五邊形或正六邊形或正八邊形，燈管1內的氣體為氦氣和氬氣相混合的氣體，燈管1內常溫下氣體的絕對壓強為20pa-30pa，燈管1內氣體中氦氣和氬氣的體積比為1∶2-6。

上述燈管1的側壁上設有排氣管2，燈管1內氣體的絕對壓強優選為22pa-28pa，混合氣體中氦氣和氬氣的體積比優選為1∶3-5。

上述汞齊包括正汞齊3和副汞齊4，副汞齊4設置在排氣管2附近的燈管1內，正汞齊3設置在排氣管2內，燈管1內氣體的絕對壓強進一步優選為24pa-26pa，混合氣體中氦氣和氬氣的體積比進一步優選為1∶3.5-4.5。

上述燈管1內氣體的絕對壓強的最佳值為25pa，混合氣體中氦氣和氬氣的體積比的最佳值為1∶4。

上述正汞齊3采用BiInHg或ZnHg制成，副汞齊4采用ZnHg制成。

上述燈管1的環形長度優選為200-1000mm，燈管1的截面孔徑與燈管1的環形長度的比值優選為1∶20-100。

本發明的低頻低壓無極紫外光燈在使用時，電源通過導線讓鎮流器通電，鎮流器讓線圈得電，就可產生200～250KHZ的電磁流，該電磁流激發低頻低壓無極紫外燈燈管1內的汞蒸氣，產生波長253.7nm的紫外光線。

以上所述的實施例僅僅是對本發明的優選實施方式進行描述，并非對本發明的范圍進行限定，在不脫離本發明設計精神的前提下，本領域普通技術人員對本發明的技術方案作出的各種變形和改進，均應落入本發明權利要求書確定的保護范圍內。