[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201210049777.8
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN103296213A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

【背景技術】

有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。

但是在有機小分子材料中，空穴傳輸速率比電子傳輸速率要高兩個數量級以上，因此，往往導致空穴與電子的復合幾率低下，從而降低了有機電致發光器件的發光效率。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、量子阱層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述量子阱層包括依次層疊的第一氧化鋅層、鋰鹽層及第二氧化鋅層，所述鋰鹽層的材料為氟化鋰、碳酸鋰或氯化鋰。

在優選的實施例中，所述第一氧化鋅層的厚度為10nm～100nm，所述鋰鹽層的厚度為5nm～20nm，所述第二氧化鋅層的厚度為10nm～100nm。

在優選的實施例中，所述量子阱層的層數大于等于1且小于等于5。

在優選的實施例中，多個所述量子阱層的總厚度大于25nm且小于250nm。

在優選的實施例中，所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩。

在優選的實施例中，所述發光層的材料為發光材料，或發光材料與電子傳輸材料摻雜形成的混合物，所述發光材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羥基喹啉鋁、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥及三(2-苯基吡啶)合銥中的至少一種，所述電子傳輸材料為2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種；所述發光材料與電子傳輸材料摻雜形成的混合物中，所述發光材料的質量百分含量為1％～20％。

在優選的實施例中，所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰。

此外，還有必要提供一種的有機電致發光器件的制備方法。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面形成空穴注入層；

在所述空穴注入層表面形成量子阱層，所述量子阱層包括依次層疊的第一氧化鋅層、鋰鹽層及第二氧化鋅層，所述鋰鹽層的材料為氟化鋰、碳酸鋰或氯化鋰；

在所述量子阱層表面形成發光層；

在所述發光層表面形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層表面形成電子注入層；及

在所述電子注入層表面形成陰極。

在優選的實施例中，所述量子阱層由蒸鍍形成，所述第一氧化鋅層的厚度為10nm～100nm，所述鋰鹽層的厚度為5nm～20nm，所述第二氧化鋅層的厚度為10nm～100nm。

在優選的實施例中，所述量子阱層的層數大于等于1且小于等于5，多個所述量子阱層的總厚度大于25nm且小于250nm。

上述有機電致發光器件及其制造方法，通過制備量子阱層，量子阱層的第一氧化鋅層及第二氧化鋅層中氧化鋅的功函約為7.2ev，鋰鹽的功函約為2.3ev，兩者之間的存在約4.9ev的勢壘，這樣就可以將一部分空穴限制在量子阱中，同時，氧化鋅是一種P型材料，對空穴傳輸有積極的作用，這樣使傳輸的空穴經過此量子阱層一部分被量子阱限制，另一部分傳輸到發光層與電子進行復合產生激子，從而可以調節空穴的傳輸速率，提高激子的復合幾率，最終提高發光效率。

【附圖說明】

通過附圖中所示的本發明的優選實施例的更具體說明，本發明的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。

圖1為一實施例的有機電致發光器件的結構示意圖；

圖2為一實施例的有機電致發光器件的制備方法的流程圖；

圖3為實施例1的有機電致發光器件的電流密度與電壓關系圖。

【具體實施方式】