[發(fā)明專利]薄膜晶體管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210049415.9
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN103296064A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾堅信
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/786
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別是指一種薄膜晶體管。

背景技術(shù)

隨著工藝技術(shù)的進步，薄膜晶體管已被大量應(yīng)用在顯示器之中，以適應(yīng)顯示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶體管一般包括柵極及活性層等組成部分，活性層包括漏極、源極以及溝道層，薄膜晶體管通過控制柵極的電壓來改變溝道層的導(dǎo)電性，使源極和漏極之間形成導(dǎo)通或者截止的狀態(tài)。

而其中溝道層所用的材料中，透明導(dǎo)電氧化物材料已經(jīng)被廣泛的研究，并被視為是下一代薄膜晶體管的主流技術(shù)。然而，如何在低溫制程中，使透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體具有穩(wěn)定均勻的高導(dǎo)電性是一項重要的研究課題。目前常用的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料為氧化銦鎵鋅（IGZO），然而其成分會受制程條件（如電漿處理）和外部環(huán)境（如濕度）的影響，尤其是氧原子的空穴（Oxygen?vacancy）和金屬陽離子（Metal?cation）的分布會受到影響，從而改變其導(dǎo)電特性。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種具有較好導(dǎo)電性的薄膜晶體管。

一種薄膜晶體管，包括基板、設(shè)于基板上的溝道層、源極、漏極及柵極。所述源極、漏極分別位于該溝道層相對兩側(cè)并與該溝道層電連接。該柵極位于溝道層的上方或者下方，柵極與溝道層之間設(shè)置有柵絕緣層。所述溝道層包括至少一透明氧化物半導(dǎo)體層構(gòu)成，且該至少一透明氧化物半導(dǎo)體層中包含至少一原子層摻雜。

在本發(fā)明提供的薄膜晶體管中，該溝道層由至少一透明氧化物半導(dǎo)體層構(gòu)成，且該透明氧化物半導(dǎo)體層包含至少一原子層摻雜，在低溫制程下，可以使該溝道層具有穩(wěn)定的高載流子濃度，從而保證該溝道層具有較好的導(dǎo)電性能。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實施例提供的薄膜晶體管的截面示意圖。

圖2是本發(fā)明第二實施例提供的薄膜晶體管的截面示意圖。

圖3是本發(fā)明第三實施例提供的薄膜晶體管的截面示意圖。

圖4是本發(fā)明第四實施例提供的薄膜晶體管的截面示意圖。

主要元件符號說明

薄膜晶體管10、20、30、40基板11、21、31溝道層12、22、32、42原子層摻雜121、221、321、421第一氧化物半導(dǎo)體層422第二氧化物半導(dǎo)體層423源極13、23漏極14、24柵極15、35柵絕緣層16、26、36蝕刻阻擋層37

如下具體實施方式將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。

具體實施方式