[發(fā)明專利]測量浮柵器件的耦合系數(shù)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210049220.4 | 申請日: | 2012-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN102593026A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張雄;尹曉冉 | 申請(專利權(quán))人: | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測量 器件 耦合 系數(shù) 方法 | ||
1.一種測量浮柵器件的耦合系數(shù)的方法,其特征在于,包括:
提供半導(dǎo)體襯底;所述半導(dǎo)體襯底表面形成有柵極結(jié)構(gòu),所述柵極結(jié)構(gòu)包括相互分立的第一子?xùn)艠O結(jié)構(gòu)和第二子?xùn)艠O結(jié)構(gòu),且兩者通過層間介質(zhì)層隔離,其中,所述第一子?xùn)艠O結(jié)構(gòu)包括位于層間介質(zhì)層表面的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層表面的浮柵、位于所述浮柵表面的第二絕緣層、以及位于所述第二絕緣層表面的控制柵;所述第二子?xùn)艠O結(jié)構(gòu)包括位于層間介質(zhì)層表面的第三絕緣層和位于所述第三絕緣層表面的選擇柵;所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有源區(qū)和漏區(qū);
對控制柵、選擇柵、源區(qū)、半導(dǎo)體襯底所對應(yīng)的端口進行兩兩測量,獲得保持對應(yīng)的柵致漏電流不變的情況下,所對應(yīng)的兩個端口的電壓變化量之間的關(guān)系式;
根據(jù)所述多個關(guān)系式,得到控制柵、選擇柵、源區(qū)、半導(dǎo)體襯底分別與浮柵之間的耦合系數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的測量浮柵器件的耦合系數(shù)的方法,其特征在于,所述對控制柵、選擇柵、源區(qū)、半導(dǎo)體襯底所對應(yīng)的端口進行兩兩測量的方法包括:
將選擇柵和半導(dǎo)體襯底置于浮空狀態(tài),在控制柵和源區(qū)所對應(yīng)的端口施加電壓,測量第一柵致漏電流,分別調(diào)整施加于控制柵和源區(qū)所對應(yīng)端口的電壓,獲得保持第一柵致漏電流不變時,控制柵所對應(yīng)的端口的電壓變化量與源區(qū)所對應(yīng)的端口的電壓變化量之間的第一關(guān)系式:V控×CR1+V源1×CR4=0,其中,V控為控制柵所對應(yīng)的端口的電壓變化量,V源1為相應(yīng)的源區(qū)所對應(yīng)端口的電壓變化量,CR1為控制柵與浮柵間的耦合系數(shù),CR4為源區(qū)與浮柵間的耦合系數(shù);
在控制柵所對應(yīng)的端口施加恒定電壓,同時在選擇柵和源區(qū)所對應(yīng)的端口施加電壓,測量第二柵致漏電流,分別調(diào)整施加于選擇柵和源區(qū)所對應(yīng)端口的電壓,獲得保持第二柵致漏電流不變時,選擇柵所對應(yīng)端口的電壓變化量與源區(qū)所對應(yīng)端口的電壓變化量之間的第二關(guān)系式:V選×CR2+V源2×CR4=0,其中,V選為選擇柵所對應(yīng)的端口的電壓變化量,V源2為相應(yīng)的源區(qū)所對應(yīng)端口的電壓變化量,CR2為選擇柵與浮柵間的耦合系數(shù);
在控制柵所對應(yīng)的端口施加恒定電壓,在半導(dǎo)體襯底和源區(qū)所對應(yīng)的端口施加電壓,測量第三柵致漏電流,分別調(diào)整施加于半導(dǎo)體襯底和源區(qū)所對應(yīng)的端口的電壓,獲得保持第三柵致漏電流不變時,半導(dǎo)體襯底對應(yīng)端口的電壓變化量與源區(qū)所對應(yīng)端口電壓變化量間的第三關(guān)系式:V襯底×CR3+V源3×CR4=0,其中,V襯底為半導(dǎo)體襯底所對應(yīng)的端口的電壓變化量,V源3為相應(yīng)的源區(qū)所對應(yīng)端口的電壓變化量,CR3為半導(dǎo)體襯底與浮柵間的耦合系數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的測量浮柵器件的耦合系數(shù)的方法,其特征在于,所述恒定電壓為0V或者1~2V。
4.如權(quán)利要求2所述的測量浮柵器件的耦合系數(shù)的方法,其特征在于,對控制柵、選擇柵、源區(qū)、半導(dǎo)體襯底所對應(yīng)的端口施加的電壓為-2~-4V。
5.如權(quán)利要求2所述的測量浮柵器件的耦合系數(shù)的方法,其特征在于,還包括第四關(guān)系式:CR1+CR2+CR3+CR4=1。
6.如權(quán)利要求1所述的測量浮柵器件的耦合系數(shù)的方法,其特征在于,還包括:第一導(dǎo)電插塞,與所述源極相連;第二導(dǎo)電插塞,與所述漏極相連;字線,與所述第二子?xùn)艠O結(jié)構(gòu)電連接,用于選擇相應(yīng)的存儲單元;位線,與所述第二導(dǎo)電插塞電連接、且與所述字線垂直,用于讀寫信息到所述存儲單元。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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