[發(fā)明專利]單層ITO的布線結構無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210048997.9 | 申請日： | 2012-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN102622130A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 樊永召 | 申請（專利權）人： | 蘇州瀚瑞微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215163 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單層 ito 布線 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種單層ITO的布線結構，所述單層ITO上設有若干電極塊，所述電極塊至少一邊呈波浪狀，所述電極塊形成若干電極列，其特征在于：在所述任意兩個相鄰電極列之間布設有若干懸浮塊。
2.如權利要求1所述的布線結構，其特征在于：所述每個電極塊左右兩邊各布設一根導線，且該所述兩根導線的走線方向相反。
3.如權利要求2所述的布線結構，其特征在于：所述每根導線走線都緊貼所述電極塊的邊緣。
4.如權利要求1所述的布線結構，其特征在于：所述電極塊包括兩種：一邊呈波浪狀的電極塊以及兩邊均呈波浪狀的電極塊。
5.如權利要求4所述的布線結構，其特征在于：所述兩邊均呈波浪狀的電極塊位于一邊呈波浪狀的兩電極塊之間。
6.如權利要求5所述的布線結構，其特征在于：所述兩邊均呈波浪狀的電極塊與一邊呈波浪狀的電極塊形成電極列。
7.如權利要求5或6所述的布線結構，其特征在于：所述兩邊均呈波浪狀的電極塊的波形與一邊呈波浪狀的電極塊的波浪圖形相同且間隙相等。
8.如權利要求1所述的布線結構，其特征在于：所述波浪狀的波形可以是三角形或者是弧形。
9.如權利要求1所述的布線結構，其特征在于：所述懸浮塊的形狀為規(guī)則圖形。
10.如權利要求1所述的布線結構，其特征在于：所述懸浮塊布滿所述電極列之間的空隙。
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