[發(fā)明專利]一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210048944.7
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN102528061A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江國健;徐家躍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海應(yīng)用技術(shù)學(xué)院
• 主分類號: B22F9/08
• 分類號: B22F9/08
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 吳寶根

1.一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器，包括導(dǎo)流管、噴嘴、金屬??外套、陶瓷圓環(huán)和發(fā)熱體A，

所述的金屬外套的上端中心部分開有與導(dǎo)流管外徑相適應(yīng)的孔，用以安裝導(dǎo)流管，金屬外套的下端敞口；

所述的導(dǎo)流管的上端部的下緣和金屬外套的上端部在靠近內(nèi)徑的邊緣設(shè)有對應(yīng)的凹入部分的槽，且金屬外套安裝時導(dǎo)流管與金屬外套同心；

導(dǎo)流管與金屬外套之間設(shè)有10mm~100mm的間隙，間隙內(nèi)安裝發(fā)熱體A；

所述的陶瓷圓環(huán)與導(dǎo)流管等內(nèi)徑，陶瓷圓環(huán)的外徑小于金屬外套下端部內(nèi)徑，陶瓷圓環(huán)靠內(nèi)徑的邊緣上有一凸臺，該凸臺結(jié)構(gòu)與導(dǎo)流管下端部的凹入部分相配合；

陶瓷圓環(huán)安裝到導(dǎo)流管的下端部并嵌入到金屬外套內(nèi)，陶瓷圓環(huán)的凸臺嵌入到導(dǎo)流管下端部的凹入部分上，陶瓷圓環(huán)與金屬外套采用螺紋連接,安裝完后，保證陶瓷圓環(huán)上與有凸臺一面對應(yīng)的另一面要凸出于金屬外套的下端面;

陶瓷圓環(huán)的內(nèi)表面噴涂上與金屬、合金熔液、金屬氧化物或金屬化合物難以粘附的物質(zhì)；

其特征在于還包括一個墊圈，所述的墊圈安放在上述的導(dǎo)流管的上端部的下緣和金屬外套的上端部在靠近內(nèi)徑的邊緣設(shè)有對應(yīng)的凹入部分的槽內(nèi)；

且所述的噴嘴設(shè)有兩個進(jìn)氣管和兩個Laval結(jié)構(gòu)的出氣管，其中每個laval結(jié)構(gòu)的出氣管的外圍10mm~100mm處都設(shè)置間隙，間隙內(nèi)都安裝發(fā)熱體B，?且每個Laval結(jié)構(gòu)的出氣管的間隙的端部都采用金屬密封環(huán)螺紋連接密封，金屬密封環(huán)下端部凸出于噴嘴出氣管的下端部；

每個?laval結(jié)構(gòu)的出氣管的出氣口處的端部分別與金屬圓環(huán)連接，所述的金屬圓環(huán)內(nèi)徑按照laval結(jié)構(gòu)的出氣管,?金屬圓環(huán)外徑處與出氣管的端部采用螺紋連接；

所述的發(fā)熱體?A及發(fā)熱體B上分別設(shè)有外接電源接口并與外界電源連接。

2.如權(quán)利要求1所述的一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器，其特征在于在金屬外套靠近發(fā)熱體A的內(nèi)表面設(shè)有金屬反射膜或噴涂而成的白色反射涂層。

3.如權(quán)利要求2所述的一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器，其特征在于所述的白色反射涂層所用的涂料選用氧化錫。

4.如權(quán)利要求3所述的一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器，其特征在于所述的陶瓷圓環(huán)選用氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、氧化鋯陶瓷或碳化硅陶瓷。

5.如權(quán)利要求4所述的一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器，其特征在于所述的金屬外套、金屬圓環(huán)和金屬密封環(huán)選用碳鋼或不銹鋼。

6.如權(quán)利要求5所述的一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器，其特征在于所述的墊圈采用塑料或金屬墊圈。

7.如權(quán)利要求6所述的一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器，其特征在于所述的發(fā)熱體A或發(fā)熱體B選用電爐絲或硅炭棒。

8.如權(quán)利要求1~7任一權(quán)利要求所述的一種解決噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器，其特征在于所述的導(dǎo)流管選用氧化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、氧化鋯陶瓷或碳化硅陶瓷。

9.利用權(quán)利要求1~8任一權(quán)利要求所述的一種防止噴嘴和導(dǎo)流管高熔點(diǎn)物質(zhì)堵塞的霧化器來霧化制備金屬或合金超微粉末。