[發(fā)明專利]用于MEMS器件的電旁路結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210048824.7 | 申請日： | 2012-02-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102701136A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洪嘉明;王鴻森;陳相甫;李德璽;亞歷山大·卡爾尼茨基;戴文川;張貴松;蔡易恒 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81B7/00 | 分類號(hào)： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人： | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 mems 器件 旁路 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種裝置，包括：
第一襯底；
第二襯底，包括MEMS器件；
絕緣體層，設(shè)置在所述第一襯底和所述第二襯底之間；以及
電旁路結(jié)構(gòu)，設(shè)置在接觸所述第一襯底的部分的絕緣體層中，其中，所述電旁路結(jié)構(gòu)與所述第二襯底中的所述MEMS器件和所述第一襯底中的任何器件電隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述電旁路結(jié)構(gòu)是延伸穿過所述絕緣體層并接觸所述第一襯底的部分的導(dǎo)電部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述導(dǎo)電部件延伸穿過所述第二襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述導(dǎo)電部件和所述第一襯底之間的界面形成歐姆接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述電旁路結(jié)構(gòu)通過所述歐姆接觸接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中：
所述第一襯底包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS器件；
所述導(dǎo)電部件是設(shè)置在所述絕緣體層中的互連結(jié)構(gòu)的部分，其中，所述互連結(jié)構(gòu)將所述CMOS器件電耦合至所述MEMS器件；以及
所述導(dǎo)電部件與所述CMOS器件電隔離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述互連結(jié)構(gòu)的部分接觸所述第一襯底的摻雜區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述導(dǎo)電部件包括設(shè)置在所述互連結(jié)構(gòu)的部分的頂部導(dǎo)電層上的導(dǎo)電層。
9.一種裝置，包括：
第一襯底，包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS器件；
第二襯底，包括微機(jī)電系統(tǒng)MEMS器件；以及
互連結(jié)構(gòu)，使所述CMOS器件與所述MEMS器件電耦合，其中，所述互連結(jié)構(gòu)包括接觸所述第一襯底并且與所述CMOS器件和所述MEMS器件電隔離的部分。
10.一種方法，包括：
提供第一襯底和第二襯底；
在設(shè)置在所述第一襯底和所述第二襯底之間的絕緣體層中形成電旁路結(jié)構(gòu)，其中，所述電旁路結(jié)構(gòu)接觸所述第一襯底；以及
在所述第二襯底中形成MEMS器件，其中，形成所述MEMS器件包括執(zhí)行等離子體環(huán)境工藝，并且經(jīng)由所述電旁路結(jié)構(gòu)對由所述等離子體環(huán)境工藝產(chǎn)生的任何電荷進(jìn)行放電。
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