[發(fā)明專利]OLED器件、AMOLED器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210048814.3
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102651455A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李延釗;王剛;李禹奉;張立
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種OLED器件，包括陽極層、功能層和陰極層，其特征在于，所述陰極層和/或所述陽極層由氧化物半導(dǎo)體銦鎵鋅氧IGZO材料制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述陰極層和/或所述陽極層是經(jīng)過等離子體表面處理或液體表面處理過的IGZO薄膜。

3.一種AMOLED器件，包括：TFT有源層、像素電極層及OLED器件，其特征在于，所述OLED器件包括陰極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陽極層；或者，所述OLED器件包括陽極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陰極層；

且所述TFT有源層、像素電極層由同一層IGZO薄膜經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的AMOLED器件，其特征在于，

在所述OLED器件包括陰極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陽極層的情況下，所述OLED器件的陰極層由IGZO材料制成；

在所述OLED器件包括陽極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陰極層的情況下，所述OLED器件的陽極層由IGZO材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的AMOLED器件，其特征在于，還包括：刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層設(shè)置在所述TFT有源層上。

6.一種AMOLED器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括，在襯底上依次形成柵電極、柵絕緣層；

沉積IGZO薄膜層，并經(jīng)光刻、刻蝕得到TFT有源層和像素電極層；

依次形成源電極、漏電極和像素界定層；

形成OLED器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，

所述形成OLED器件包括，

依次沉積功能層和陽極；

或者，依次沉積功能層和陰極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，在所述依次形成源電極、漏電極和像素界定層之后，還包括，

對制作完成所述像素界定層之后的襯底表面進行表面處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，

在所述沉積IGZO薄膜層，并經(jīng)光刻、刻蝕得到TFT有源層和像素電極層之后，還包括，

在所述TFT有源層上形成刻蝕阻擋層。