[發(fā)明專利]改善金屬互聯(lián)工藝中多孔介質(zhì)薄膜密封性的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210048744.1 | 申請日： | 2012-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN102543859A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張景春;顧梅梅;陳建維 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 金屬 工藝 多孔 介質(zhì) 薄膜 密封性 方法 | ||
1.一種改善金屬互聯(lián)中的多孔介質(zhì)薄膜密封性的方法，其特征在于包括：
以多層金屬互聯(lián)為例：
在多孔介質(zhì)薄膜上淀積阻擋薄膜；
在所述阻擋薄膜上淀積介質(zhì)薄膜；
在所述介質(zhì)薄膜上淀積硬掩膜以及硬掩膜覆蓋層；
執(zhí)行單大馬士革刻蝕工藝和/或雙大馬士革刻蝕工藝以刻蝕所述介質(zhì)薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆蓋層，從而暴露多孔介質(zhì)薄膜的至少一部分孔；以及執(zhí)行NH3等離子體處理，從而在所述多孔介質(zhì)薄膜中的暴露的孔中的側(cè)壁表面形成封閉層，然后淀積金屬互聯(lián)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬互聯(lián)中的多孔介質(zhì)薄膜密封性的方法，其特征在于進一步包括：執(zhí)行多層金屬互聯(lián)中的Cu阻擋層和/或晶種層的淀積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善金屬互聯(lián)中的多孔介質(zhì)薄膜密封性的方法，其特征在于進一步包括：在多孔介質(zhì)薄膜上淀積阻擋薄膜之前，執(zhí)行NH3等離子體處理。
4.一種金屬互聯(lián)制造方法，其特征在于采用了根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的改善金屬互聯(lián)中的多孔介質(zhì)薄膜密封性的方法。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
