[發明專利]像素單元驅動電路、像素單元驅動方法及像素單元

有效

• 申請號: 201210048571.3
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN102708794A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 青海剛;祁小敬;高永益
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;趙愛軍

1.一種像素單元驅動電路，用于驅動OLED，其特征在于，所述像素單元驅動電路包括驅動薄膜晶體管、匹配薄膜晶體管、第一開關元件、存儲電容和驅動控制單元；

所述驅動薄膜晶體管，柵極與所述存儲電容的第一端連接，源極與所述OLED連接并通過所述第一開關元件與所述存儲電容的第二端連接，漏極與驅動電源連接；

所述匹配薄膜晶體管，柵極和漏極與所述驅動薄膜晶體管的柵極連接，源極通過所述驅動控制單元與所述驅動薄膜晶體管的源極連接；

所述存儲電容的第二端還通過所述驅動控制單元與數據線連接。

2.如權利要求1所述的像素單元驅動電路，其特征在于，所述驅動控制單元包括第二開關元件和第三開關元件；

所述匹配薄膜晶體管的源極通過所述第二開關元件與所述驅動薄膜晶體管的源極連接；

所述存儲電容的第二端通過所述第三開關元件與所述數據線連接。

3.如權利要求1或2所述的像素單元驅動電路，其特征在于，

所述驅動薄膜晶體管的源極與所述OLED的陰極連接；

所述驅動薄膜晶體管的漏極與驅動電源的低電平輸出端連接；

所述驅動薄膜晶體管和所述匹配薄膜晶體管為p型薄膜晶體管。

4.如權利要求3所述的像素單元驅動電路，其特征在于，所述第一開關元件為第一薄膜晶體管，所述第二開關元件為第二薄膜晶體管，所述第三開關元件是第三薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，漏極與所述存儲電容的第二端連接，源極與所述驅動薄膜晶體管的源極連接；

所述第二薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，漏極與所述匹配薄膜晶體管的源極連接，源極與所述驅動薄膜晶體管的源極連接；

所述第三薄膜晶體管，柵極與所述第二控制線連接，漏極與所述數據線連接，源極與所述存儲電容的第二端連接；

所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管都是p型薄膜晶體管。

5.如權利要求1或2所述的像素單元驅動電路，其特征在于，

所述驅動薄膜晶體管的源極與所述OLED的陽極連接；

所述驅動薄膜晶體管的漏極與驅動電源的高電平輸出端連接；

所述驅動薄膜晶體管和所述匹配薄膜晶體管為n型薄膜晶體管。

6.如權利要求5所述的像素單元驅動電路，其特征在于，

所述第一開關元件為第一薄膜晶體管，所述第二開關元件為第二薄膜晶體管，所述第三開關元件為第三薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管，柵極與第一控制線連接，漏極與所述存儲電容的第二端連接，源極與所述驅動薄膜晶體管的源極連接；

所述第二薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，源極與所述匹配薄膜晶體管的漏極連接，漏極與所述驅動薄膜晶體管的源極連接；

所述第三薄膜晶體管，柵極與第二控制線連接，源極與數據線連接，漏極與存儲電容的第二端連接；

所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管為n型薄膜晶體管。

7.一種像素單元驅動方法，其應用于如權利要求1所述的像素單元驅動電路，其特征在于，所述像素單元驅動方法包括以下步驟：

像素充電步驟：驅動控制單元控制存儲電容被充電，直至驅動薄膜晶體管的柵極電位上升到與匹配薄膜晶體管的源極電位只相差匹配薄膜晶體管的閾值電壓，此時所述匹配薄膜晶體管關閉，并且所述驅動薄膜晶體管關閉；

驅動OLED發光顯示步驟：第一開關元件導通所述驅動薄膜晶體管的源極與所述存儲電容的第二端的連接，所述驅動薄膜晶體管導通，所述驅動控制單元控制所述驅動薄膜晶體管的柵極處于懸空狀態，以使得所述匹配薄膜晶體管的閾值電壓補償所述驅動薄膜晶體管的閾值電壓。

8.如權利要求7所述的像素單元驅動方法，其特征在于，在像素充電步驟和驅動OLED發光顯示步驟之間還包括緩沖步驟：所述驅動控制單元斷開數據線與存儲電容的第二端的連接，并斷開所述驅動薄膜晶體管的源極與所述匹配薄膜晶體管的源極之間的連接。

9.一種像素單元，其特征在于，包括OLED和如權利要求3或4所述的像素單元驅動電路；

所述像素單元驅動電路與所述OLED的陰極連接；

所述OLED的陽極與驅動電源的高電平輸出端連接。

10.一種像素單元，其特征在于，包括OLED和如權利要求5或6所述的像素單元驅動電路；

所述像素單元驅動電路與所述OLED的陽極連接；

所述OLED的陰極與驅動電源的低電平輸出端連接。