[發明專利]氮化鈦膜的形成方法和氮化鈦膜的形成裝置

無效

• 申請號: 201210048533.8
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102655085A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 兩角友一朗;菱屋晉吾;原田豪繁
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;C23C16/34
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種氮化鈦膜的形成方法，其特征在于，

該氮化鈦膜的形成方法包括在將收容有被處理體的反應室內加熱到規定的溫度之后向該反應室內供給含有鈦原料的成膜用氣體而在被處理體上形成氮化鈦膜的氮化鈦形成工序，

在上述氮化鈦形成工序中，上述鈦原料采用不含有氯原子而含有鈦的原料、或者采用含有一個氯原子和一個鈦的原料。

2.根據權利要求1所述的氮化鈦膜的形成方法，其特征在于，

在上述氮化鈦形成工序中，上述鈦原料采用甲基環戊二烯基三(二甲基氨基)鈦、乙基環戊二烯基三(二甲基氨基)鈦、環戊二烯基三(二甲基氨基)鈦、或者三(N-乙基甲基氨基)氯化鈦。

3.根據權利要求1所述的氮化鈦膜的形成方法，其特征在于，

在上述氮化鈦形成工序中包括：

吸附步驟，向收容有被處理體的反應室內供給上述鈦原料，使含有鈦的含鈦物質吸附于上述被處理體；

膜形成步驟，向在上述吸附步驟中所吸附的含鈦物質供給氮化氣體而使上述含鈦物質氮化，從而在上述被處理體上形成氮化鈦膜，

多次重復由上述吸附步驟和上述膜形成步驟構成的循環。

4.根據權利要求3所述的氮化鈦膜的形成方法，其特征在于，

在上述氮化鈦形成工序中，具有執行從上述多次重復的循環的第1次到規定次數的初期的循環的第1階段、執行初期的循環以后的循環的第2階段，

在上述第1階段中，上述成膜用氣體采用甲基環戊二烯基三(二甲基氨基)鈦和氨，

在上述第2階段中，采用氨和含有氯原子和鈦的原料作為成膜用氣體。

5.根據權利要求4所述的氮化鈦膜的形成方法，其特征在于，

上述第1階段和/或上述第2階段利用等離子體使上述氨活化。

6.根據權利要求4所述的氮化鈦膜的形成方法，其特征在于，

上述第1階段將上述反應室內的溫度設定為200℃～350℃，

上述第2階段將上述反應室內的溫度設定為350℃以上。

7.根據權利要求1所述的氮化鈦膜的形成方法，其特征在于，

在上述氮化鈦形成工序中，將反應室內的溫度設定為200℃～350℃。

8.一種氮化鈦膜的形成裝置，其特征在于，

該氮化鈦膜的形成裝置包括：

用于收容被處理體的反應室；

用于將上述反應室內加熱到規定的溫度的加熱部件；

用于向上述反應室內供給含有鈦原料的成膜用氣體的成膜用氣體供給部件；

用于對裝置的各部分進行控制的控制部件，

上述控制部件控制上述加熱部件而將收容有上述被處理體的反應室內加熱到規定的溫度之后，控制上述成膜用氣體供給部件而向該反應室內供給含有鈦原料的成膜用氣體，從而在被處理體上形成氮化鈦膜，

上述鈦原料是不含有氯原子而含有鈦的原料、或者是含有一個氯原子和一個鈦的原料。