[發(fā)明專利]Li2In2GeSe6化合物、Li2In2GeSe6非線性光學(xué)晶體及制法和用途

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210048489.0
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103288058A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚吉勇;尹文龍;馮凱;郝文鈺;傅佩珍;吳以成
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;C30B29/46;C30B11/00;G02F1/355
• 代理公司: 北京法思騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11318
• 代理人: 楊小蓉;楊青

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種Li₂In₂GeSe₆化合物、Li₂In₂GeSe₆的非線性光學(xué)晶體(Li₂In₂GeSe₆單晶)及該Li₂In₂GeSe₆單晶的制備方法和用Li₂In₂GeSe₆單晶制作的非線性光學(xué)器件的用途。

背景技術(shù)

具有非線性光學(xué)效應(yīng)的晶體稱為非線性光學(xué)晶體。這里非線性光學(xué)效應(yīng)是指倍頻、和頻、差頻、參量放大等效應(yīng)。只有不具有對稱中心的晶體才可能有非線性光學(xué)效應(yīng)。利用晶體的非線性光學(xué)效應(yīng)，可以制成二次諧波發(fā)生器，上、下頻率轉(zhuǎn)換器，光參量振蕩器等非線性光學(xué)器件。激光器產(chǎn)生的激光可通過非線性光學(xué)器件進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換，從而獲得更多有用波長的激光，使激光器得到更廣泛的應(yīng)用。根據(jù)材料應(yīng)用波段的不同，可以分為紫外光區(qū)、可見和近紅外光區(qū)、以及中紅外光區(qū)非線性光學(xué)材料三大類?？梢姽鈪^(qū)和紫外光區(qū)的非線性光學(xué)晶體材料已經(jīng)能滿足實際應(yīng)用的要求；如在二倍頻(532nm)晶體中實用的主要有KTP(KTiOPO₄)、BBO(β-BaB₂O₄)、LBO(LiB₃O₅)晶體；在三倍頻(355nm)晶體中實用的有BBO、LBO、CBO(CsB₃O₅)可供選擇。而紅外波段的非線性晶體發(fā)展比較慢；紅外光區(qū)的材料大多是ABC₂型的黃銅礦結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料，如AgGaQ₂(Q＝S，Se，Te)，紅外非線性晶體的光損傷閾值太低和晶體生長困難，直接影響了實際使用。中紅外波段非線性光學(xué)晶體在光電子領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用，例如它可以通過光參量振蕩或光參量放大等手段將近紅外波段的激光(如1.064μm)延伸到中紅外區(qū)；也可以對中紅外光區(qū)的重要激光(如CO₂激光，10.6μm)進(jìn)行倍頻，這對于獲得波長連續(xù)可調(diào)的激光具有重要意義。因此尋找優(yōu)良性能的新型紅外非線性光學(xué)晶體材料已成為當(dāng)前非線性光學(xué)材料研究領(lǐng)域的難點和前沿方向之一。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的在于提供一種化學(xué)式為Li₂In₂GeSe₆的化合物。

本發(fā)明另一目的在于提供一種Li₂In₂GeSe₆非線性光學(xué)晶體。

本發(fā)明再一目的在于提供Li₂In₂GeSe₆非線性光學(xué)晶體的制備方法。

本發(fā)明還有一個目的在于提供Li₂In₂GeSe₆非線性光學(xué)晶體的用途。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種化學(xué)式為Li₂In₂GeSe₆的化合物。

本發(fā)明提供的Li₂In₂GeSe₆化合物的制備方法，其步驟如下：

將含Li物質(zhì)、含In物質(zhì)、含Ge物質(zhì)和Se按照摩爾比Li∶In∶Ge∶Se＝2∶2∶1∶6的比例配料并混合均勻后，加熱至700-800℃進(jìn)行固相反應(yīng)(原則上，采用一般化學(xué)合成方法都可以制備Li₂In₂GeSe₆化合物；本發(fā)明優(yōu)選固相反應(yīng)法)，得到化學(xué)式為Li₂In₂GeSe₆的化合物；所述含Li物質(zhì)為硒化鋰或硒銦鋰；所述含Ge物質(zhì)為鍺單質(zhì)或二硒化鍺；所述含In物質(zhì)為銦單質(zhì)或三硒化二銦或硒銦鋰。