[發(fā)明專利]一種先進過程控制系統(tǒng)及其測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210048437.3 | 申請日: | 2012-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN102540895A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 方晶晶;陳嵐;阮文彪 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | G05B13/04 | 分類號: | G05B13/04;G05B23/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 先進 過程 控制系統(tǒng) 及其 測試 方法 | ||
1.一種先進過程控制系統(tǒng),其特征在于,與虛擬制造系統(tǒng)相連接,包括:
實時錯誤檢測模塊,與虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊相連接,用于從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊獲取虛擬工藝制造過程中的產(chǎn)品性能參數(shù),并比照預(yù)設(shè)的產(chǎn)品性能參數(shù),對虛擬工藝制造過程中產(chǎn)品性能參數(shù)進行錯誤檢測;
錯誤分類與響應(yīng)模塊,與所述實時錯誤檢測模塊相連接,用于針對檢測出的錯誤進行分類,并查找產(chǎn)生該錯誤的原因;
反饋/回饋控制模塊,與所述錯誤分類與響應(yīng)模塊相連接,用于根據(jù)產(chǎn)生錯誤的原因,調(diào)用相應(yīng)的校正模型對該錯誤相關(guān)的工藝/設(shè)備參數(shù)進行校正,得到校正后的工藝設(shè)備參數(shù),并將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過程控制模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的先進過程控制系統(tǒng),其特征在于,
所述反饋/回饋控制模塊,還用于將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)通過實時控制模塊發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫模塊進行存儲。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的先進過程控制系統(tǒng),其特征在于,
反饋/回饋控制模塊,與虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫模塊相連接,用于從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫模塊獲得設(shè)備工藝設(shè)備參數(shù)調(diào)整前后半導(dǎo)體晶片的產(chǎn)品性能參數(shù),判斷半導(dǎo)體晶片的性能改善是否達到預(yù)期效果,在未達到預(yù)期效果時,對校正模型進行調(diào)整,根據(jù)調(diào)整后的校正模型重新對工藝設(shè)備參數(shù)進行校正。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的先進過程控制系統(tǒng),其特征在于,所述反饋/回饋控制模塊包括:
參數(shù)調(diào)整子模塊,用于對所述校正模型的參數(shù)進行調(diào)整;或
模型調(diào)整子模塊,用于更換所述校正模型。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的先進過程控制系統(tǒng),其特征在于,所述校正模型選自以下模型中的一種:MMSE控制方法、PID控制方法和混沌優(yōu)化算法。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的先進過程控制系統(tǒng),其特征在于,還包括:
實時控制模塊,用于所述先進過程控制系統(tǒng)和所述虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)交互。
7.一種先進過程控制系統(tǒng)的測試方法,其特征在于,所述先進過程控制系統(tǒng)與虛擬制造系統(tǒng)相連接,包括:
從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集模塊獲取虛擬工藝制造過程中的產(chǎn)品性能參數(shù),并比照預(yù)設(shè)的產(chǎn)品性能參數(shù),對虛擬工藝制造過程中產(chǎn)品性能參數(shù)進行錯誤檢測;
針對檢測出的錯誤進行分類,并查找產(chǎn)生該錯誤的原因;
根據(jù)產(chǎn)生所述錯誤的原因,調(diào)用相應(yīng)的校正模型對該錯誤相關(guān)的工藝設(shè)備參數(shù)進行校正,并將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過程控制模塊,從而完成所述先進過程控制系統(tǒng)的驗證測試。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的先進過程控制系統(tǒng)測試方法,其特征在于,所述將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過程控制模塊的同時還包括:
將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)通過實時控制模塊發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫模塊存儲。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的先進過程控制系統(tǒng)測試方法,其特征在于,所述將校正后的工藝設(shè)備參數(shù)發(fā)送至虛擬制造系統(tǒng)的過程控制模塊之后還包括:
從虛擬制造系統(tǒng)的數(shù)據(jù)庫模塊獲得設(shè)備工藝設(shè)備參數(shù)調(diào)整前后半導(dǎo)體晶片的產(chǎn)品性能參數(shù),判斷半導(dǎo)體晶片的性能改善是否達到預(yù)期效果,在未達到預(yù)期效果時,對校正模型進行調(diào)整,根據(jù)調(diào)整后的校正模型重新對工藝設(shè)備參數(shù)進行校正。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的先進過程控制系統(tǒng)測試方法,其特征在于,所述對校正模型進行調(diào)整包括:
對所述校正模型的參數(shù)進行調(diào)整;或更換所述校正模型。
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