[發明專利]等離子體蝕刻方法和半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201210048412.3
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102651336A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 中川顯;大塚雄二
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體蝕刻方法，在處理腔室內收納被處理基板，使導入到所述處理腔室內的處理氣體產生等離子體，通過該等離子體，隔著掩膜層在形成于所述被處理基板的蝕刻停止層上的氧化硅膜上形成孔，該離子體蝕刻方法的特征在于，其包括：

對所述氧化硅膜進行蝕刻的主蝕刻工序；和

在所述主蝕刻工序之后，在所述蝕刻停止層至少一部分露出的狀態下進行的蝕刻工序，

在所述蝕刻停止層至少一部分露出的狀態下進行的蝕刻工序包括多次反復交替地進行第一蝕刻工序和第二蝕刻工序的工序，所述第一蝕刻工序使所述處理氣體為C₄F₆氣體、Ar氣體和O₂氣體的混合氣體，所述第二蝕刻工序使所述處理氣體為C₄F₈氣體、Ar氣體和O₂氣體的混合氣體，或者為C₃F₈氣體、Ar氣體和O₂氣體的混合氣體。

2.如權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

將所述第一蝕刻工序和所述第二蝕刻工序進行一次的時間在3秒至15秒的范圍內。

3.如權利要求1或2所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述蝕刻停止層由氮化硅形成。

4.如權利要求1或2所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述掩膜層由多晶硅形成。

5.一種半導體裝置的制造方法，其具有等離子體蝕刻工序，所述等離子體蝕刻工序在處理腔室內收納被處理基板，使導入到所述處理腔室內的處理氣體產生等離子體，通過該等離子體，隔著掩膜層在形成于所述被處理基板的蝕刻停止層上的氧化硅膜上形成孔，該半導體裝置的制造方法的特征在于：

所述等離子體蝕刻工序包括：

對所述氧化硅膜進行蝕刻的主蝕刻工序；和

在所述主蝕刻工序之后，在所述蝕刻停止層至少一部分露出的狀態下進行的蝕刻工序，

在所述蝕刻停止層至少一部分露出的狀態下進行的蝕刻工序包括多次反復交替地進行第一蝕刻工序和第二蝕刻工序的工序，所述第一蝕刻工序使所述處理氣體為C₄F₆氣體、Ar氣體和O₂氣體的混合氣體，所述第二蝕刻工序使所述處理氣體為C₄F₈氣體、Ar氣體和O₂氣體的混合氣體，或者為C₃F₈氣體、Ar氣體和O₂氣體的混合氣體。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

將所述第一蝕刻工序和所述第二蝕刻工序進行一次的時間在3秒至15秒的范圍內。

7.如權利要求5或6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述蝕刻停止層由氮化硅形成。

8.如權利要求5或6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述掩膜層由多晶硅形成。