[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210048345.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102651367A | 公開(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李鏡漢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/10 | 分類號(hào): | H01L27/10;H01L21/8232 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;何勝勇 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:
柱體,其設(shè)置在半導(dǎo)體基板上并具有第一側(cè)部至第四側(cè)部;
第一位線,其設(shè)置在所述柱體的第一側(cè)部處;
存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接面區(qū)域,其設(shè)置在所述柱體的與所述第一側(cè)部相對(duì)的第三側(cè)部處;以及
柵極,其設(shè)置在所述柱體的第二側(cè)部或者與所述第二側(cè)部相對(duì)的第四側(cè)部處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,還包括:
第二位線,其與所述第一位線的下緣相連并沿與所述柱體垂直的方向延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述第一位線的材料與所述第二位線的材料相同,并且所述第一位線和所述第二位線形成倒T形結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述第一位線具有矩形形狀、橢圓形形狀或三角形形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,還包括:
字線,其與所述柵極的上緣相連并沿與所述柱體垂直的方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述柵極設(shè)置在所述柱體的第二側(cè)部和第四側(cè)部處。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述柵極還設(shè)置在所述柱體的上表面上并具有倒U形結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述柵極設(shè)置在所述柱體的整個(gè)第二側(cè)部或整個(gè)第四側(cè)部處,或者部分地設(shè)置在所述柱體的第二側(cè)部和第四側(cè)部中任意一者的上部處。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,還包括:
存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn),其與所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接面區(qū)域相連并圍繞所述柱體、所述第一位線和所述柵極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件,還包括:
介電層,其圍繞所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的外周面;以及
板節(jié)點(diǎn),其圍繞所述介電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述柱體呈矩形柱形狀或圓柱形狀。
12.一種半導(dǎo)體器件,包括:
柱體,其從基板延伸;
柵極圖案,其形成在所述柱體的第一側(cè)壁處;
第一位線,其形成在所述柱體的第二側(cè)壁處;以及
第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)圖案,其形成在所述柱體的第三側(cè)壁處;
其中,所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁通過所述第一側(cè)壁彼此相連。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件,還包括:
第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)圖案,其從所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)圖案延伸并圍繞所述柱體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件,還包括:
絕緣層,其以使所述柵極圖案和所述第一位線相對(duì)于所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)圖案絕緣的方式形成在所述柱體與所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)圖案之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述柵極圖案在所述柱體的頂面上延伸,并且
所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁通過所述柱體的頂面而彼此相連。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述柵極圖案進(jìn)一步延伸在所述柱體的第四側(cè)壁上,并且
所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁通過所述第四側(cè)壁而彼此相連。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述柵極圖案呈倒U形。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述柱體是柱形圖案或多邊形圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件,其中,
所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)圖案構(gòu)造為具有筒形外輪廓或多邊形外輪廓。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件,還包括:
字線,其形成在所述柱體的第一端并沿著第一方向延伸,所述字線與所述柵極圖案相連;以及
第二位線,其形成在所述柱體的第二端并沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸,所述第二位線與所述第一位線相連。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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