[發(fā)明專利]具有重疊電極的LED芯片結構有效

申請?zhí)枺?/td>	201210047874.3	申請日：	2012-02-28
公開（公告）號：	CN102569581A	公開（公告）日：	2012-07-11
發(fā)明（設計）人：	黃慧詩;郭文平;柯志杰;鄧群雄;謝志堅	申請（專利權）人：	江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司
主分類號：	H01L33/36	分類號：	H01L33/36
代理公司：	無錫市大為專利商標事務所 32104	代理人：	曹祖良
地址：	214111 江蘇省無錫***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有重疊電極 led 芯片結構
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【權利要求書】：

1.一種具有重疊電極的LED芯片結構，包括襯底（1）及位于所述襯底（1）上的N型氮化鎵層（2）、量子阱（3）及P型氮化鎵層（4）；其特征是：所述P型淡化基層（4）上覆蓋有第一透明導電層（5），第一透明導電層（5）上覆蓋有第二透明導電層（6），所述第二透明導電層（6）上設有對稱分布的P電極（7），所述P電極（7）與第二透明導電層（6）電連接；P電極（7）的正下方均設有透明的電流擴散控制絕緣層（9）。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述P電極（7）在第一透明導電層（5）上的投影面積不大于電流擴散控制絕緣層（9）在第一透明導電層（5）上的投影面積。

3.根據(jù)權利要求1所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述電流擴散控制絕緣層（9）包括二氧化硅。

4.根據(jù)權利要求1所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述第二透明導電層（6）的等效電阻值低于第一透明導電層（5）的等效電阻值。

5.根據(jù)權利要求1所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述N型氮化鎵層（2）上設有對稱分布的N電極（8），N電極（8）與N型氮化鎵層（2）電連接。

6.根據(jù)權利要求1或4所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述第一透明導電層（5）與第二透明導電層（6）為ITO層。

7.根據(jù)權利要求1所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述襯底（1）為藍寶石基板。

8.根據(jù)權利要求5所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述N電極（8）的材料包括Al、Ag、Cr、Ni或Ti。

9.根據(jù)權利要求5所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述N電極（8）上覆蓋有枝杈絕緣層（11）。

10.根據(jù)權利要求9所述的具有重疊電極的LED芯片結構，其特征是：所述枝杈絕緣層（11）包括二氧化硅。

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