[發(fā)明專利]鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光材料、制備方法及其應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210047864.X
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN103289696A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;H01L33/26;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光材料，其特征在于：其化學(xué)式為La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺，其中LaGaO₃是基質(zhì)，Ti元素是激活元素，0.03≤x≤0.12。

2.一種鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據(jù)La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取La₂O₃、Ga₂O₃和TiO₂粉體并混合均勻，其中0.03≤x≤0.12；及

將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結(jié)0.5小時(shí)～5小時(shí)即得到化學(xué)式為La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺的鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光材料。

3.一種鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光薄膜，其特征在于，該鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺，其中，LaGaO₃是基質(zhì)，Ti元素是激活元素，0.03≤x≤0.12。

4.一種鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據(jù)La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取La₂O₃、Ga₂O₃和TiO₂粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結(jié)0.5小時(shí)～5小時(shí)制成靶材，其中0.03≤x≤0.12；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為1.0×10^-3pa～1.0×10^-5Pa；及

調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為50mm～100mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～4.5Pa，工作氣體的流量為15sccm～30sccm，襯底溫度為250℃～750℃，接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺的鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟：將所述鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光薄膜于500℃～800℃下真空退火處理1h～3h。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4pa，基靶間距為75mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)為2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25sccm，襯底溫度為600℃。

7.一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光材料，該鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光材料的化學(xué)式為La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺，其中0.03≤x≤0.12。

8.一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光材料，該鈦摻雜鎵酸鑭發(fā)光材料的化學(xué)式為La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺，其中0.03≤x≤0.12；

在所述發(fā)光層上形成陰極。