[發明專利]銪摻雜鋁硅酸鹽發光材料、發光薄膜和薄膜電致發光顯示器器件及它們的制備方法

無效

• 申請號: 201210047768.5
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN103289686A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明屬于電致發光材料領域，具體涉及銪摻雜鋁硅酸鹽發光材料、發光薄膜和薄膜電致發光顯示器器件及它們的制備方法。?

背景技術

薄膜電致發光顯示器(TFELD)因具有主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬和工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注且發展迅速。目前，彩色及至全色TFELD的研究開發(開發多波段發光材料)是該領域的重要發展方向。?

在LED熒光粉的研究中，已出現稀土摻雜鋁硅酸鹽熒光粉的報道，其激發光譜能夠較好地匹配現有的近紫外LED的發射光譜得到良好的綠光到藍光的激發。但是，用鋁硅酸鹽類發光材料制備成電致發光薄膜至今仍未見報道。?

發明內容

為克服上述現有技術的缺陷，本發明提供了銪摻雜鋁硅酸鹽發光材料、銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜和薄膜電致發光顯示器器件及它們的制備方法。該銪摻雜鋁硅酸鹽發光材料可用于制備銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜。該銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜可用于制備薄膜電致發光顯示器器件。該銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜電致發光譜(EL)在580nm附近和620nm附近處具有強的發光峰。?

本發明提供了銪摻雜鋁硅酸鹽發光材料，其化學結構式為MeAl_2-xSi₂O₈:xEu³⁺，其中，MeAl_2-xSi₂O₈是基質，Eu元素是激活元素，所述Me選自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一種或幾種，x值為0.01～0.05。?

Eu³⁺離子在銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜中充當主要的發光中心。優選地，x值為0.02。該銪摻雜鋁硅酸鹽發光材料可用于制備銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜。?

本發明提供了銪摻雜鋁硅酸鹽發光材料的制備方法，包括以下步驟：稱取MeO、Al₂O₃、SiO₂和Eu₂O₃粉體，按摩爾比為1∶1-x/2∶2∶x/2均勻混合，在900～1300℃下燒結3～10小時，得到化學式為MeAl_2-xSi₂O₈:xEu³⁺的發光材料，其中，MeAl_2-xSi₂O₈是基質，Eu元素是激活元素，所述Me選自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一種或幾種，x值為0.01～0.05。?

Eu³⁺離子在銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜中充當主要的發光中心。優選地，x值為0.02。?

本發明提供了銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜，其化學結構式為MeAl_2-xSi₂O₈:xEu³⁺，其中，MeAl_2-xSi₂O₈是基質，Eu元素是激活元素，所述Me選自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一種或幾種，x值為0.01～0.05。?

Eu³⁺離子在銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜中充當主要的發光中心。優選地，x值為0.02。該銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜采用脈沖激光沉積法(PLD)制得，其電致發光譜(EL)在580nm附近和620nm附近處具有強的發光峰。?

本發明提供了銪摻雜鋁硅酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：?

(1)制備發光材料：稱取MeO、Al₂O₃、SiO₂和Eu₂O₃粉體，按摩爾比為1∶1-x/2∶2∶x/2均勻混合，在900～1300℃下燒結3～10h，制成發光材料，所述Me選自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一種或幾種，x值為0.01～0.05；?

(2)制備襯底：取帶ITO的玻璃襯底，清洗后烘干，制得潔凈的襯底；?