[發明專利]熒光體

有效

• 申請號: 201210047613.1
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102952541A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 加藤雅禮;福田由美;松田直壽
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;H01L33/50
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 吳宗頤

1.一種熒光體，其在用250～500nm波長范圍內的光激發時發出在490～580nm的波長范圍內具有發光峰的光，所述熒光體的特征在于，

包含用Eu激活的Sr₃Si₁₃Al₃O₂N₂₁屬晶體的粒子，具有從所述粒子的表面至5nm的外側區域和比該外側區域深的內側區域，所述外側區域中的氧濃度的平均值O_外側與所述內側區域中的氧濃度的平均值O_內側之比(O_外側/O_內側)為1.0～3.8。

2.如權利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述熒光體的X射線衍射圖的主要峰出現在選自20.5±0.1°、21.6±0.1°、23.8±0.1°、25.8±0.1°、29.4±0.1°、31.0±0.1°、31.7±0.1°、32.0±0.1°、34.2±0.1°、34.9±0.1°、36.1±0.1°、36.4±0.1°、37.5±0.1°、38.4±0.1°、39.9±0.1°、61.5±0.1°、62.3±0.1°和63.0±0.1°中的10處以上。

3.如權利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述(O_外側/O_內側)為1.0～3.2。

4.如權利要求1所述的熒光體，其特征在于，所述熒光體具有下述組成式(1)所示的組成：

(Sr_1-xEu_x)_3-yAl_3+zSi_13-zO_2+uN_21-w?????????(1)

其中，0＜x＜1、-0.1≤y≤0.30、-3≤z≤1、-3＜u-w≤1.5。

5.如權利要求4所述的熒光體，其特征在于，所述組成式(1)中的x為0.001以上。

6.如權利要求4所述的熒光體，其特征在于，所述組成式(1)中的x小于0.05。

7.如權利要求4～6中任一項所述的熒光體，其特征在于，所述Si的一部分可被選自Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的至少一種替代。

8.如權利要求4～6中任一項所述的熒光體，其特征在于，所述Al的一部分可被選自B、Ga、In、Sc、Y、La、Gd和Lu中的至少一種替代。

9.如權利要求4～6中任一項所述的熒光體，其特征在于，所述N的一部分可被選自O和C中的至少一種替代。

10.如權利要求4～6中任一項所述的熒光體，其特征在于，所述熒光體的晶體結構為斜方晶系。

11.如權利要求4～6中任一項所述的熒光體，其特征在于，還含有選自Na、Ba、Ca、Mg、Cu、Fe、Pb、Cl、C和B中的至少一種。

12.一種發光裝置，其特征在于，包括：

發出波長250～500nm的光的發光元件，和

含有熒光體的綠色發光層，所述熒光體接受來自上述發光元件的光而發綠色光；

所述發綠色光的熒光體包含權利要求1或2所述的熒光體。

13.如權利要求12所述的發光裝置，其特征在于，還包括含有紅色發光熒光體的紅色發光層，該紅色發光熒光體在波長580～660nm之間具有發光峰。

14.如權利要求13所述的發光裝置，其特征在于，紅色發光熒光體具有下述組成式(2)所示的組成：

(Sr_1-sEu_s)_aSi_bAlO_cN_d??????????(2)

其中，0＜s＜1.0、0.55＜a＜0.95、2＜b＜3.9、0＜c＜0.6、4＜d＜5.7。