[發明專利]一種p型透明導電摻鋰氧化鎳薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210047506.9
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102560361A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 黃延偉;席俊華;季振國
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/24
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.?一種p型透明導電摻鋰氧化鎳薄膜，其特征在于：該摻鋰氧化鎳薄膜材料為Li_xNi_1-xO，x?=?0.01～0.30，由電子束蒸發鍍膜技術制備獲得，其中薄膜厚度為50～500?nm，最高電導率達到9.4?S·cm^-1，可見光區域的平均透射率高于60%。

2.一種p型透明導電摻鋰氧化鎳薄膜的制備方法，其特征是采用電子束蒸發鍍膜技術制備，具體步驟如下：以化學純氧化鎳和碳酸鋰為原料，經過研磨、壓片、固相反應、燒結過程制成摻鋰氧化鎳Li_xNi_1-xO陶瓷靶；以Li_xNi_1-xO陶瓷靶為蒸發源料，玻璃為基板，在基板溫度為室溫的條件下，電子束蒸發高壓為6?kV檔位，掃描電流X為0.6?mA，Y為0?mA，掃描波動范圍為正負0.05?mA，蒸鍍時不通入任何氣體，本底壓強為5.0×10^-4Pa～5.0×10^-5Pa，電子束流為20?mA～250?mA，蒸發時間5～45?分鐘，即形成具有非晶結構的摻鋰氧化鎳薄膜，并將蒸發的薄膜移入退火爐中進行退火處理，退火溫度為100^oC～450^oC，退火時間為1?h～3?h，即形成具有多晶結構的p型透明導電摻鋰氧化鎳薄膜。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征是p型Li_xNi_1-xO陶瓷靶的制備溫度在700^oC～720^oC。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征是蒸發時基板溫度為25^oC。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征是蒸鍍時不通入任何氣體，工作壓強為3.0×10^-4Pa～5×10^-4Pa。