[發明專利]一種減小靜態隨機存儲器漏電流的方法

無效

• 申請號: 201210047394.7
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102543883A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種減小靜態隨機存儲器漏電流的方法，包括有源區、多晶硅柵和接觸孔，并且所述多晶硅柵和所述有源區相連接，其特征在于，首先在所述多晶硅柵兩側的部分有源區上覆蓋側墻，并在所述側墻外側的有源區上注入形成重摻雜區域，所述側墻下側的有源區上注入形成輕摻雜區域；之后通過增加一層光刻板，進行一次調節輕摻雜結深的離子注入工藝，使得所述輕摻雜區域的結深被加深；然后在所述多晶硅柵、所述側墻以及所述有源區上覆蓋接觸孔刻蝕停止層和層間介質；最后再進行接觸孔刻蝕，以及鎢填充和鎢平坦工藝，形成共享接觸孔。

2.根據權利要求1所述減小靜態隨機存儲器漏電流的方法，其特征在于，所述共享接觸孔的形狀為矩形。

3.根據權利要求1所述減小靜態隨機存儲器漏電流的方法，其特征在于，所述側墻為氮化硅。

4.根據權利要求1所述減小靜態隨機存儲器漏電流的方法，其特征在于，所述接觸孔刻蝕停止層為氮化硅薄膜。

5.根據權利要求1所述減小靜態隨機存儲器漏電流的方法，其特征在于，所述接觸孔刻蝕停止層的下側具有襯底。

6.根據權利要求5所述減小靜態隨機存儲器漏電流的方法，其特征在于，所述接觸孔刻蝕停止層和所述襯底之間還具有淺溝槽。