[發明專利]利用具原子臺階襯底制備的InGaN量子點外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 201210047240.8
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN103296168A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 王懷兵;王輝;黃強
• 申請（專利權）人: 蘇州新納晶光電有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/06;H01L33/00;H01S5/343
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陸明耀;陳忠輝

1.一種利用具原子臺階襯底制備的InGaN量子點外延片，其特征在于：包括一具有原子臺階的襯底，所述襯底上生長有N型層，所述N型層與所述襯底具有相同的原子臺階，所述N型層上方生長形成有源區，所述有源區上設置有P型層，所述原子臺階為規則遞增型臺階，所述襯底上原子臺階形成的斜切角大于0.05^°小于10^°。

2.根據權利要求1所述的利用具原子臺階襯底制備的InGaN量子點外延片，其特征在于：所述有源區為InGaN量子點層及設置在InGaN量子點層上方的壘層構成的發光有源區，所述InGaN量子點層外延分布于所述N型層的原子臺階水平臺階面外沿，所述壘層具有原子臺階表面。

3.根據權利要求2所述的利用具原子臺階襯底制備的InGaN量子點外延片，其特征在于：所述InGaN量子點層為異質外延于N型層表面。

4.根據權利要求3所述的利用具原子臺階襯底制備的InGaN量子點外延片，其特征在于：所述N型層為單層n型摻雜的Al_xIn_yGa_1－x－yN，或是多層不同組分n型摻雜的Al_xIn_yGa_1－x－y?N組成的復合層，其中0≤x≤1，0≤y≤1，x+y=1；

根據權利要求4所述的利用具原子臺階襯底制備的InGaN量子點外延片，其特征在于：所述發光有源區為n個周期的In_MGa_1-MN量子點層與In_NGa_1-NN壘層構成的有源區，其中n≥1，0<M<1，0≤N<1，M>N。

5.根據權利要求5所述的利用具原子臺階襯底制備的InGaN量子點外延片，其特征在于：所述p型層可為單層p型摻雜的Al_XIn_YGa_1－X－YN，或是兩層以上不同組分n型摻雜的Al_XIn_YGa_1－X－YN組成的復合層，其中0≤X≤1，0≤Y≤1，X+Y=1。

6.根據權利要求1所述的利用具原子臺階襯底制備的InGaN量子點外延片的制備方法，采用金屬有機物化學氣相沉積或采用分子束外延方法在具有原子臺階的襯底上制備外延片，其特征在于：所述襯底上的原子臺階寬度與InGaN量子點的密度成反比。