[發明專利]低電阻埋柵式太陽能電池及其制作方法有效
| 申請號: | 201210047064.8 | 申請日: | 2012-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN102593196A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 徐冠超 | 申請(專利權)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 埋柵式 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
1.一種低電阻埋柵式太陽能電池,在電池(2)的受光面設置前電極,其特征是:在電池(2)的受光面需要設置前電極的位置開上窄下寬梯形凹槽(3),在梯形凹槽(3)內制作梯形埋柵電極(1)。
2.一種權利要求1所述的低電阻埋柵式太陽能電池的制作方法,其特征是:首先在需要形成梯形埋柵電極(1)的部位通過激光刻槽方法做出梯形凹槽(3);
然后使用網版印刷技術將電極漿料注入梯形凹槽(3)中;
最后經過燒結形成電極。
3.權利要求2所述的低電阻埋柵式太陽能電池的制作方法,其特征是:通過激光刻槽方法制作出梯形凹槽(3)的方法為:通過激光頭(4)在與開槽方向垂直的平面內的擺動動作,使激光光束穿過梯形凹槽(3)的兩側的側壁的延長線的交點,并同時在延長線的夾角范圍內擺動,通過控制燒蝕的時間,在電池(2)的受光面上刻蝕出梯形凹槽(3),通過激光頭(4)沿開槽方向的移動動作,使梯形凹槽(3)向前延伸。
4.權利要求3所述的低電阻埋柵式太陽能電池的制作方法,其特征是:所述的激光頭(4)沿以梯形凹槽(3)的兩側的側壁的延長線的交點為圓心的圓弧進行擺動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





