[發(fā)明專利]一種OTFT陣列基板、顯示裝置及制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210046964.0
• 申請(qǐng)日: 2012-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN102655154A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張學(xué)輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種OTFT陣列基板，包括：透明基板，在所述透明基板上形成的柵線和數(shù)據(jù)線，以及所述柵線和數(shù)據(jù)線交叉限定的像素單元；所述像素單元包括：有機(jī)薄膜晶體管OTFT和像素電極；其特征在于，在所述OTFT的有源層的溝道區(qū)域上設(shè)置有第一鈍化層單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OTFT陣列基板，其特征在于，所述OTFT的柵極、柵絕緣層、有源層的形狀一致；且所述OTFT陣列基板還包括：第二鈍化層單元，所述第二鈍化層單元至少覆蓋所述形狀一致的OTFT的柵極、柵絕緣層、有源層的邊緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OTFT陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層單元和所述第二鈍化層單元為同一層薄膜所形成的不同圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OTFT陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層單元、第二鈍化層單元的材料為有機(jī)光敏材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的OTFT陣列基板，其特征在于，在所述OTFT的有源層的非溝道區(qū)域所述OTFT的源極通過(guò)其下方的第一接觸層單元與所述有源層相連，所述OTFT的漏極通過(guò)其下方的第二接觸層單元與所述有源層相連，所述數(shù)據(jù)線下方形成有第三接觸層單元；其中，所述第一接觸層單元、第二接觸層單元、第三接觸層單元與所述像素電極為同一層薄膜所形成的不同圖案，且所述像素電極與所述第二接觸層單元直接相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OTFT陣列基板，其特征在于，

所述OTFT的源極下方的第一接觸層單元的圖案比所述源極的圖案大或兩者圖案一致；

所述OTFT的漏極下方的第二接觸層單元的圖案比所述漏極的圖案大或兩者圖案一致；

所述OTFT的數(shù)據(jù)線下方的第三接觸層單元的圖案比所述數(shù)據(jù)線的圖案大或兩者圖案一致。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OTFT陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層的厚度為200～400nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的OTFT陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層單元的厚度為250～650nm。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的OTFT陣列基板。

10.一種OTFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明基板上依次沉積柵金屬薄膜、柵絕緣層薄膜、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵線以及形狀一致的OTFT的柵極、柵絕緣層和有源層的圖形；

在完成上述第一次構(gòu)圖工藝的透明基板上制備鈍化層薄膜，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層單元和第二鈍化層單元圖形；

在完成上述第二次構(gòu)圖工藝的透明基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝將源漏金屬薄膜形成OTFT的源漏極以及數(shù)據(jù)線的圖形，并將透明導(dǎo)電薄膜形成OTFT的源極下方的第一接觸層單元、OTFT的漏極下方的第二接觸層單元、數(shù)據(jù)線下方的第三接觸層單元和與所述第二接觸層單元直接連接的像素電極的圖形。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述柵絕緣層薄膜的厚度200～400nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制作方法，其特征在于，所述鈍化層薄膜的厚度為250～650nm。