[發(fā)明專利]Li2In2GeS6化合物、Li2In2GeS6非線性光學晶體及制法和用途

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210046877.5
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103290478A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 姚吉勇;尹文龍;馮凱;郝文鈺;傅佩珍;吳以成
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C30B11/00;C04B35/547;G02F1/355
• 代理公司: 北京法思騰知識產權代理有限公司 11318
• 代理人: 楊小蓉;楊青

1.一種化學式為Li₂In₂GeS₆的化合物。

2.一種權利要求1所述Li₂In₂GeS₆化合物的制備方法，其步驟如下：

將含Li物質、含In物質、含Ge物質和單質S按照摩爾比Li∶In∶Ge∶S＝2∶2∶1∶6的比例配料并混合均勻后，加熱至800-900℃進行固相反應，得到化學式為Li₂In₂GeS₆的化合物；所述含Li物質為硫化鋰或硫銦鋰；所述含Ge物質為鍺單質或二硫化鍺；所述含In物質為銦單質或三硫化二銦或硫銦鋰。

3.按權利要求2所述Li₂In₂GeS₆化合物的制備方法，其特征在于，所述加熱進行固相反應的步驟是：將所述配料研磨之后裝入石英管中，對石英管抽真空至10^-3pa并進行熔化封裝，放入馬弗爐中，以10-50℃/小時的速率升溫至800-900℃，恒溫48-72小時，待冷卻后取出樣品；對取出的樣品重新研磨混勻再置于石英管中抽真空至10^-3pa并進行熔化封裝，再放入馬弗爐內升溫至800-900℃燒結48小時；將樣品取出，并搗碎研磨得粉末狀Li₂In₂GeS₆化合物。

4.一種Li₂In₂GeS₆非線性光學晶體，該Li₂In₂GeS₆非線性光學晶體不具有對稱中心，屬單斜晶系，空間群為Cc，其晶胞參數(shù)為：β＝110.26°。

5.一種權利要求4所述Li₂In₂GeS₆非線性光學晶體的制備方法，其為高溫熔體自發(fā)結晶法生長Li₂In₂GeS₆非線性光學晶體，其步驟為：將粉末狀Li₂In₂GeS₆化合物加熱至熔化得高溫熔液并保持24-96小時后，以1-10℃/小時的降溫速率降溫至室溫，得到淡黃色透明的Li₂In₂GeS₆晶體。

6.按權利要求5所述Li₂In₂GeS₆非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，所述粉末狀Li₂In₂GeS₆化合物的制備如下：

將含Li物質、含In物質、含Ge物質和S按照摩爾比Li∶In∶Ge∶S＝2∶2∶1∶6的比例混合均勻后，加熱進行固相反應，得到化學式為Li₂In₂GeS₆的化合物，經(jīng)搗碎研磨得粉末狀Li₂In₂GeS₆的化合物；所述含Li物質為硫化鋰或硫銦鋰；所述含Ge物質為鍺單質或二硫化鍺；所述含In物質為銦單質或三硫化二銦或硫銦鋰。

7.一種權利要求4所述Li₂In₂GeS₆非線性光學晶體的制備方法，其為坩堝下降法生長Li₂In₂GeS₆非線性光學晶體，其步驟如下：

將Li₂In₂GeS₆粉末放入晶體生長裝置中，緩慢升溫至粉末熔化，待粉末完全熔化后，晶體生長裝置以0.1-10mm/h的速度垂直下降，在晶體生長裝置下降過程中進行Li₂In₂GeS₆非線性光學晶體生長，其生長周期為5-20天。