[發明專利]一種納米尺寸阻變存儲器小孔的制備方法無效
| 申請號： | 201210046570.5 | 申請日： | 2012-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN102610751A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 黃如;楊庚雨;孫帥;譚勝虎;張麗杰;黃英龍;張耀凱;唐昱;潘越;蔡一茂;毛俊 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 張肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 尺寸 存儲器 小孔 制備 方法 | ||
1.一種納米尺寸阻變憶阻器小孔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)在需要制備小孔的襯底上淀積犧牲層；
2)涂光刻膠；
3)進行光刻，定義出犧牲層的圖形；
4)干法刻蝕犧牲層；
5)去除光刻膠，將光刻膠上的圖形轉移到犧牲層上；
6)淀積需要制備小孔的材料層；
7)化學機械拋光，拋光停止點以犧牲層的圖形頂端為準；
8)濕法腐蝕犧牲層，得到所需制備的小孔。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟1)中，所述襯底為Si襯底或玻璃襯底等。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟1)中，所述犧牲層的材料為二氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等材料中的一種。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟1)中，所述犧牲層的厚度在2nm和500nm之間
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟3)中，光刻采用光學光刻或電子束光刻。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟6)中，所述材料層采用多晶硅或氧化硅等。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟6)中，所述材料層的厚度與犧牲層的厚度相同，或稍大于犧牲層的厚度。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟8)中，濕法腐蝕犧牲層采用的腐蝕液，對于犧牲層的腐蝕速率遠遠大于對材料層的腐蝕速率。
9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述腐蝕液為1∶10～1∶40的氫氟酸HF和氟化銨NH4F的混合液或者HF溶液。
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