[發明專利]利用納米碳管控制場發射電子發散角的方法

有效

• 申請號: 201210046316.5
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102592914A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 許燦華;冷雨欣;李闖;宋立偉;李儒新
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: H01J1/304
• 分類號: H01J1/304
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.利用納米碳管對場發射電子發散角的控制方法，其特征在于該方法包括下列步驟：

①采用現有常規方法制備多壁納米碳管，從中選擇一個多壁納米碳管，將其一端用導電銀膠粘貼在一個固定的金屬支座上，另外一端粘貼在一個具有納米精度的壓電陶瓷位移控制器上，在多壁納米碳管的固定端加一個脈沖電壓，將該納米碳管外壁的末端打開，該端變成開口的碳管；

②調節所述的壓電陶瓷位移控制器的位移，將所述的納米碳管的外壁向連接壓電陶瓷的方向抽出與該碳管直徑相當的距離；

③在所述的納米碳管抽出外壁的端口加一個脈沖電壓，將該端口的外壁也打開，形成一個具有開口外壁包圍的納米碳管；

④組建納米碳管場發射裝置：將所述的具有開口外壁包圍的納米碳管用導電銀膠粘貼在一個金屬探針上，并將該探針固定在一個金屬支架上，將該金屬支架裝置置于超高真空的環境中，真空度為10^－7～10^－12mbar，所述的金屬支架與與一負電源相通，在固定金屬探針的支架上施加幾十伏的負電壓形成陰極，陽極由一定距離外的接地的熒光屏構成，當所施加的負電壓在所述的納米碳管的端口形成幾何增強的強電場時，導致電子的場發射,?自由電子被所加的偏壓加速到達所述的熒光屏；

⑤通過調整并選擇納米碳管的外壁抽出的長度及在納米碳管上所施加的電壓，改變所述的納米碳管端口的電場分布，控制場發射電子發散角、準直或者會聚，控制電子束的聚焦距離。

2.根據權利要求1所述的利用納米碳管對場發射電子發散角的控制方法，其特征在于所述的制備多壁納米碳管方法為電弧放電法、激光燒蝕法、或化學氣相沉積法。