[發明專利]一種多層納米線結構的制造方法

有效

• 申請號: 201210046312.7
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103295878A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 王文博
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種多層納米線結構的制造方法，包括：

a)提供第一硅基體，在所述第一硅基體上形成第一氧化物層；

b)提供第二硅基體，對所述第二硅基體實施氫離子注入，以在所述第二硅基體中形成一定位標記；

c)實施一智能切割工藝，以在所述第一硅基體上形成一絕緣體上硅結構；

d)在所述絕緣體上硅結構上形成第二氧化物層；

e)重復步驟b)-步驟d)，以在所述第一硅基體上形成多層絕緣體上硅結構；

f)定義所述納米線結構的圖形；

g)蝕刻所述多層絕緣體上硅結構，以在所述第一硅基體上形成所述多層納米線結構；

h)去除所述多層納米線結構中的每條納米線下方的所述第二氧化物層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硅基體的晶向和所述第一硅基體的晶向相同。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硅基體的晶向和所述第一硅基體的晶向不同。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝或者熱氧化工藝形成所述第一氧化物層和第二氧化物層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二氧化物層的厚度小于所述第一氧化物層的厚度。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二氧化物層的厚度為0.02-0.5微米。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多層絕緣體上硅結構的層數大于或等于2。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多層絕緣體上硅結構中的每個硅層是所述第一硅基體或者所述第二硅基體。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述每個硅層的晶向可以相同，也可以不同。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述每個硅層的厚度為0.02-0.5微米。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多層絕緣體上硅結構中的每個絕緣體層是所述第二氧化物層。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用離子注入工藝實施所述氫離子注入。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蝕刻工藝蝕刻所述多層絕緣體上硅結構，所述蝕刻過程直到露出所述第一氧化物層時終止。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法蝕刻工藝去除所述多層納米線結構中的每條納米線下方的所述第二氧化物層。

15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻工藝采用的腐蝕液為稀釋的氫氟酸。

16.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件具有采用權利要求1-15中的任一方法形成的多層納米線結構。