[發明專利]一種雙層膜超導整流器件的制備方法無效
| 申請號: | 201210046184.6 | 申請日: | 2012-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN102586740A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 張媛;劉仁娟;李培剛;沈靜琴;崔燦;唐為華 | 申請(專利權)人: | 浙江理工大學 |
| 主分類號: | C23C14/28 | 分類號: | C23C14/28;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司: | 浙江英普律師事務所 33238 | 代理人: | 陳小良 |
| 地址: | 310018*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙層 超導 整流 器件 制備 方法 | ||
1.一種雙層膜超導整流器件的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)首先采用單面拋光的單晶SrTiO3(001)為襯底,并超聲清洗干凈,自然晾干;
(2)利用脈沖激光沉積技術,在PLD球型脈沖激光沉積鍍膜系統中,沉積氣氛為O2,依次將具有兩種成分的超導薄膜分別沉積到SrTiO3的拋光面上制備成雙層薄膜結構;靶材分別為:La1.8Sr0.2CuO4和La1.9Sr0.1CuO4;
(3)然后將雙層薄膜的一半保護起來,采用HNO3溶液,腐蝕上層薄膜,使產品表面形成兩種不同成分薄膜的臺階結構。
2.根據權利要求1所述的一種雙層膜超導整流器件的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中用脈沖激光沉積鍍膜系統制備薄膜時,參數激光能量為700mJ-900mJ,襯底溫度為630℃-670℃,靶基距為50mm-60mm。
3.根據權利要求2所述的一種雙層膜超導整流器件的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中用脈沖激光沉積鍍膜系統制備薄膜時,參數激光能量為800mJ,襯底溫度為650℃,靶基距為55mm。
4.根據權利要求1所述的一種雙層膜超導整流器件的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中的沉積速率為5nm/min。
5.根據權利要求1所述的一種雙層膜超導整流器件的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中形成La1.9Sr0.1CuO4/La1.8Sr0.2CuO4超導雙層膜,上層與下層薄膜厚度相差100nm-130nm,上層薄膜比下層薄膜的厚度大。
6.根據權利要求1所述的一種雙層膜超導整流器件的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中的HNO3溶液是質量濃度為0.5%的HNO3溶液,腐蝕時間為40min以內。
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