[發明專利]一種用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法有效
| 申請號： | 201210046161.5 | 申請日： | 2012-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN102534550A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 徐強;毛智彪 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/40 | 分類號： | C23C16/40;C23C16/44;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 柵極 二氧化硅 薄膜 沉積 方法 | ||
1.一種用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，包括：
S1：提供襯底；
S2：將所述襯底放入SACVD設備；
S3：在所述襯底上沉積二氧化硅薄膜；
S4：對所述二氧化硅薄膜進行去氫處理；
重復所述步驟S3至S4，直至形成預定厚度的二氧化硅薄膜；
S5：取出襯底。
2.如權利要求1所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的每次沉積二氧化硅薄膜的厚度范圍為10埃至100埃。
3.如權利要求2所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的每次沉積二氧化硅薄膜的厚度范圍為20埃至30埃。
4.如權利要求1所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的去氫處理所采用的溫度范圍為300攝氏度至500攝氏度。
5.如權利要求1所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的去氫處理所采用的壓力范圍為10torr至700torr。
6.如權利要求1所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的去氫處理所采用的氣體流量范圍為10000sccm至20000sccm。
7.如權利要求1所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的去氫處理所采用的氣體為含有活性氧原子的混合氣體。
8.如權利要求7所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的含有活性氧原子的混合氣體含有臭氧。
9.如權利要求1所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的去氫處理的時間范圍為5秒至50秒。
10.如權利要求9所述的用于柵極側墻的二氧化硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述的去氫處理的時間為10秒。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
