[發(fā)明專利]SiOx鈍化膜的沉積方法及具有該鈍化膜的LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210045896.6
• 申請(qǐng)日: 2012-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN102569564A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪延明;姚禹;許亞兵;侯召男;牛鳳娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/02
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

1.一種SiOx鈍化膜的沉積方法，包括以下步驟：待沉積晶片經(jīng)預(yù)熱步驟得到預(yù)熱晶片；在所述預(yù)熱晶片表面沉積SiOx鈍化膜，其特征在于，

在所述沉積SiOx鈍化膜步驟前對(duì)所述預(yù)熱晶片依次進(jìn)行多次等離子體活化步驟和預(yù)沉積SiOx鈍化膜步驟；依次重復(fù)所述活化處理步驟和預(yù)沉積步驟4～6次；

所述預(yù)熱步驟是在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體活化步驟的條件為：用等離子體活化60～120s，RF功率為100～250W，氣體流量為700～1200sccm，腔體壓力為900～1100mtorr。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，所述等離子體為N₂等離子體或N₂O等離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)沉積步驟的條件為：在250℃～300℃下，沉積30～60s，腔體壓力為600～800mtorr，N₂O的流量為700～800sccm，5％SiH₄/N₂的流量為100～200sccm，RF功率為25～50W。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述預(yù)沉積SiOx鈍化膜的厚度為

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述預(yù)熱步驟為在PECVD機(jī)內(nèi)的承片臺(tái)上進(jìn)行，所述承片臺(tái)溫度為250～350℃，所述PECVD機(jī)處于抽氣狀體，通入流量為500sccm～1000sccm的氮?dú)?～3min進(jìn)行預(yù)熱。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)用去膠液和去離子水在加超聲波的條件下清洗待沉積晶片，然后氮?dú)鈿夥罩写祾咚Ω伤龃练e晶片；

2)將所述待沉積晶片置于溫度為300℃的PECVD機(jī)的承片臺(tái)上，同時(shí)通入流量為800sccm的氮?dú)?min，對(duì)晶片進(jìn)行預(yù)熱步驟，得到所述預(yù)熱晶片；

3)等離子體活化步驟：用N₂等離子體對(duì)腔體及所述預(yù)熱晶片進(jìn)行活化處理100s，RF功率為150W，氣體流量為1000sccm，腔體壓力為1000mtorr；

4)預(yù)沉積SiOx鈍化膜：在270℃下，腔體壓力700mtorr，N₂O流量750sccm，5％SiH₄/N₂流量為150sccm，RF的功率為40W條件下沉積50s，得到厚度為的SiOx鈍化膜；

5)重復(fù)步驟3)和步驟4)為一個(gè)循環(huán)，循環(huán)5次，得到預(yù)沉積片；

6)在所述預(yù)沉積片表面沉積SiOx鈍化膜，沉積條件：腔體壓力750mtorr，N₂O流量為750sccm，5％SiH₄/N₂流量為180sccm，沉積550s，得到晶片；

7)氮?dú)獯祾逷ECVD機(jī)并抽氣，然后破真空，取片，經(jīng)光刻，露出N、P電極，得到LED芯片。

8.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的表面沉積有SiOx鈍化膜，所述SiOx鈍化膜通過權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的方法沉積在所述LED芯片的表面。