[發(fā)明專利]一種硅基焦平面器件的讀出電路

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210045862.7
• 申請(qǐng)日: 2012-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN102589719A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張康
• 主分類號(hào): G01J5/24
• 分類號(hào): G01J5/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅基焦平面器件的讀出電路，其特征在于，包括：

1）焦平面陣列電路：完成光電信號(hào)的轉(zhuǎn)換；

2）垂直移位寄存器：產(chǎn)生行選信號(hào)，在行選信號(hào)的控制下，選通一行的像素單元；

3）組選移位寄存器：產(chǎn)生列選信號(hào)，通過選通幾列的行選后的信號(hào)到多路選擇開關(guān)中；

4）多路選擇開關(guān)：把選通的像素單元按照一定的規(guī)律輸出；

其中，所述電路的工作時(shí)序如下：電路以一個(gè)幀時(shí)作為重復(fù)的工作周期，一個(gè)幀時(shí)是指焦平面陣列中所有的像素單元都要進(jìn)行一次選通；電路首先進(jìn)行行選從第一行到最后一行依次進(jìn)行選通；在每一行的行選信號(hào)有效期間，陣列按照一定的規(guī)律把這一行的像素分為幾組，然后進(jìn)行依次的選通讀出；

所述的控制信號(hào)模塊垂直移位寄存器、組選移位寄存器和多路選擇開關(guān)采用了D觸發(fā)器來實(shí)現(xiàn)，每個(gè)D觸發(fā)器的輸入是上一級(jí)D觸發(fā)器的輸出，D觸發(fā)器的輸出同時(shí)用于控制對(duì)應(yīng)的行的MOS管的柵極，每個(gè)模塊的D觸發(fā)器使用同步時(shí)鐘；開始輸入一個(gè)脈沖信號(hào)作為第一個(gè)D觸發(fā)器的初始輸入，并且以此來控制選通第一行或第一列；

以及，在焦平面陣列中還采用了橋式電路結(jié)構(gòu)，其中R1、R2是熱沉測(cè)輻射熱計(jì)電阻，它們不隨著溫度的變化而發(fā)生變化，R3是光學(xué)屏蔽參考測(cè)輻射熱計(jì)電阻，不受所加的紅外輻射的影響，它與探測(cè)器電阻的溫度系數(shù)是一致的，R4是探測(cè)器測(cè)輻射熱計(jì)電阻，由于探測(cè)器測(cè)輻射熱計(jì)電阻受紅外輻射的影響，其溫度發(fā)生變化而產(chǎn)生電阻的變化。