[發(fā)明專利]稀土離子摻雜稀土氟氧化物的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210045780.2
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103296120A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁海;程先華;孫洪濤;王傳英;宋宇;雷子恒
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江啟鑫新能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/055
• 分類號: H01L31/055
• 代理公司: 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種稀土離子摻雜稀土氟氧化物的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：依次自下而上相互疊加的背電極(1)、銀鋁漿薄膜(2)、P型晶體硅層(3)、N型晶體硅層(4)、減反射膜(5)、稀土離子摻雜稀土氟氧化物膜(6)、正電極(7)；

所述背電極為條形鋁電極；

所述稀土離子摻雜稀土氟氧化物膜中稀土氟氧化物為稀土氧化物與稀土氟化物在800～900℃反應(yīng)制得；

其中，所述稀土離子為Nd³⁺、Yb³⁺、Pr³⁺、Ho³⁺、Er³⁺中的一種或幾種，所述的稀土氧化物為Nd₂O₃、Yb₂O₃、Pr₂O₃、Ho₂O₃、Er₂O₃中的一種或幾種；

所述稀土氟化物為LaF₃、YF₃、LiYF₄、NaYF₄、K₂YF₅、BaYF₅或BaY₂F；

所述正電極為銀柵電極。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述背電極的厚度為10-20μm、寬度為2-3mm。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述銀鋁漿薄膜厚度為15-20μm。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型晶體硅層為摻雜硼的單晶硅或多晶硅。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型晶體硅層為摻雜磷的單晶硅或多晶硅。

6.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述減反射膜為氮化硅或氧化硅，所述減反射膜的膜厚為70nm。

7.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述稀土離子摻雜稀土氟氧化物膜的激發(fā)光波長大于1100nm，發(fā)射光波長在可見光范圍內(nèi)。

8.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述正電極的主線厚度為10-20μm、寬度為2-3mm，柵線厚度為10-20μm、寬度為50μm。