[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210045763.9
• 申請日: 2012-02-24
• 公開（公告）號: CN103296045A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 許進恭;張志原;劉恒;賴韋志
• 申請（專利權）人: 華夏光股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/04
• 代理公司: 北京泛誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

1.一種發(fā)光二極管裝置，包含：

至少一個發(fā)光二極管單元，該發(fā)光二極管單元包含：

一第一發(fā)光二極管，其包含n側氮化物半導體層、第一主動層與p側氮化物半導體層；

一第二發(fā)光二極管，其包含n側氮化物半導體層、第二主動層與p側氮化物半導體層；及

一超晶格結構，由至少一個第一子層與至少一個第二子層交替堆棧組成，位于所述第一發(fā)光二極管的p側氮化物半導體層與所述第二發(fā)光二極管的n側氮化物半導體層之間，作為隧道結，藉以將所述第一發(fā)光二極管與所述第二發(fā)光二極管迭加在一起；

其中，所述超晶格結構具有一吸收光譜，所述第一主動層具有一第一發(fā)射光譜，所述第二主動層具有一第二發(fā)射光譜，所述吸收光譜位于所述第一發(fā)射光譜與所述第二發(fā)射光譜兩者之中至少一者的相對短波長側。

2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中，所述吸收光譜與所述第一發(fā)射光譜兩者不重迭。

3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，當所述吸收光譜與所述第一發(fā)射光譜兩者重迭部分小于或等于40％時，所述超晶格結構中含銦成分的子層總厚度小于或等于10納米。

4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，當所述吸收光譜與所述第一發(fā)射光譜兩者重迭部分大于40％時，所述超晶格結構中含銦成分的子層總厚度小于或等于5納米。

5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，所述超晶格結構的所述吸收光譜具有定義為λ_TL的一吸收邊緣，所述第一主動層的所述第一發(fā)射光譜具有一定義為λ_first?QW的與發(fā)射強度最高值對應的波長，其中λ_firstQW＞λ_TL。

6.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中，所述吸收光譜與所述第二發(fā)射光譜兩者不重迭。

7.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，當所述吸收光譜與所述第二發(fā)射光譜兩者重迭部分小于或等于40％時，所述超晶格結構中含銦成分的子層總厚度小于或等于10納米。

8.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，當所述吸收光譜與所述第二發(fā)射光譜兩者重迭部分大于40％時，所述超晶格結構中含銦成分的子層總厚度小于或等于5納米。

9.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，所述超晶格結構的所述吸收光譜具有定義為λ_TL的一吸收邊緣，所述第二主動層的所述第二發(fā)射光譜具有一定義為λ_second?QW的與發(fā)射強度最高值對應的波長，其中λ_secondQW＞λ_TL。

10.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中，所述第一子層與所述第二子層的組合方式包含下列族群中的一者：AlGaN/InGaN，AlGaN/GaN，GaN/InGaN。

11.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中，所述第二子層包含氮化銦鎵(InGaN)，且銦濃度小于或等于20％。

12.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中，所述第一子層包含氮化鋁鎵(AlGaN)，且鋁濃度為20％～44％。

13.如權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，還包含：

一第一電極，所述n側氮化物半導體層包含n型氮化鎵層，該第一電極電性連接所述n型氮化鎵層；及

一第二電極，所述p側氮化物半導體層包含p型氮化鎵層，該第二電極電性連接所述p型氮化鎵層。

14.如權利要求13所述的發(fā)光二極管裝置，其中所述至少一個發(fā)光二極管單元包含多個所述發(fā)光二極管單元，以數(shù)組型式排列，其中，相鄰的所述發(fā)光二極管單元的第一電極及第二電極電性連結，因而形成一串聯(lián)序列和/或并聯(lián)序列。