[發明專利]靜電放電保護電路有效
| 申請號: | 201210045518.8 | 申請日: | 2012-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN102693978A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 吳健銘 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H02H9/04;G01R19/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 放電 保護 電路 | ||
1.一種靜電放電保護電路,用來保護一耦接于一輸入/輸出墊的內部電路,所述靜電放電保護電路包含:
一靜電放電保護單元,耦接于所述輸入/輸出墊,用以將發生于所述輸入/輸出墊的一靜電放電電荷釋放至一接地端;及
一電壓檢測單元,耦接于所述輸入/輸出墊與所述靜電放電保護單元,用來檢測所述輸入/輸出墊是否發生一靜電放電電壓,并據以控制所述靜電放電保護單元來將所述輸入/輸出墊直接導通至所述接地端。
2.根據權利要求1所述的靜電放電保護電路,其中,所述靜電放電保護單元包括:
一第一晶體管,具有一耦接于所述輸入/輸出墊的漏極、一耦接于所述接地端的源極及一耦接于所述電壓檢測單元的柵極;
其中,當所述靜電放電電荷為正電荷時,所述靜電放電保護電路根據所述電壓檢測單元的檢測而導通所述第一晶體管,以將所述靜電放電電荷釋放至所述接地端。
3.根據權利要求2所述的靜電放電保護電路,其中,所述第一晶體管具有一寄生于其漏極與源極間的寄生二極管,當所述靜電放電電荷為負電荷時,所述靜電放電電荷會經由所述寄生二極管釋放至所述接地端。
4.根據權利要求2所述的靜電放電保護電路,其中,所述靜電放電保護單元還包括:
一第一電阻,耦接于所述第一晶體管的柵極與所述接地端;
其中,當所述靜電放電電荷為正電荷時,所述靜電放電保護電路根據所述電壓檢測單元的檢測,通過所述第一電阻在所述第一晶體管的柵極形成一導通電壓以導通所述第一晶體管,以將所述靜電放電電荷釋放至所述接地端。
5.根據權利要求4所述的靜電放電保護電路,其中,所述電壓檢測單元包括:
一第二晶體管,具有一耦接于所述輸入/輸出墊的源極、一耦接于所述第一晶體管的柵極的漏極及一柵極;
一第二電阻,耦接所述第二晶體管的柵極與所述輸入/輸出墊;及
一第三電阻,耦接所述第二晶體管的柵極與所述接地端。
6.根據權利要求4所述的靜電放電保護電路,其中,所述電壓檢測單元包括:
一第二晶體管,具有一耦接于所述輸入/輸出墊的源極、一耦接于所述第一晶體管的柵極的漏極及一柵極;
一第一二極管,耦接所述第二晶體管的柵極與所述輸入/輸出墊;及
一第二二極管,耦接所述第二晶體管的柵極與所述接地端。
7.根據權利要求4所述的靜電放電保護電路,其中,所述電壓檢測單元包括一耦接所述輸入/輸出墊與所述第一晶體管的柵極的第一二極管。
8.根據權利要求4所述的靜電放電保護電路,其中,所述電壓檢測單元包括一耦接所述輸入/輸出墊與所述第一晶體管的柵極的第二電阻。
9.一種靜電放電保護電路,用來保護一耦接于一輸入/輸出墊的內部電路,所述靜電放電保護電路包含:
一電壓檢測單元,耦接于所述輸入/輸出墊,用來檢測所述輸入/輸出墊是否發生一靜電放電電壓;及
一靜電放電保護單元,耦接于所述輸入/輸出墊與所述電壓檢測單元;
其中當所述電壓檢測單元檢測到所述輸入/輸出墊發生所述靜電放電電壓時,所述電壓檢測單元控制所述靜電放電保護單元以將所述靜電放電電壓的一靜電放電電荷釋放至所述接地端。
10.根據權利要求9所述的靜電放電保護電路,其中,所述靜電放電保護單元包括:
一第一晶體管,具有一耦接于所述輸入/輸出墊的漏極、一耦接于所述接地端的源極及一耦接于所述電壓檢測單元的柵極;
其中,所述靜電放電保護電路根據所述電壓檢測單元的檢測而導通所述第一晶體管,以將所述靜電放電電荷釋放至所述接地端。
11.根據權利要求10所述的靜電放電保護電路,其中,所述靜電放電保護單元還包括:
一第一電阻,耦接于所述第一晶體管的柵極與所述接地端;
其中,當所述靜電放電荷為正電荷時,根據所述電壓檢測單元的檢測,通過所述第一電阻在所述第一晶體管的柵極形成一導通電壓以導通所述第一晶體管,以將所述靜電放電電荷釋放至所述接地端。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





